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2SK2857C-T1-AY

更新时间： 2024-02-19 08:27:42

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瑞萨 - RENESAS		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
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描述
N-CHANNEL MOSFET FOR SWITCHING

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2SK2857C-T1-AY 技术参数

生命周期：	Not Recommended	包装说明：	SC-62, 3 PIN
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.32
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (ID)：	4 A
最大漏源导通电阻：	0.15 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSSO-F3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	16 A	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON

2SK2857C-T1-AY 数据手册

Preliminary Data Sheet

2SK2857C

N-CHANNEL MOSFET FOR SWITCHING

R07DS1261EJ0200

Rev.2.00

Jun 11, 2015

Description

The 2SK2857C, N-channel vertical type MOSFET designed for general-purpose switch, is a device which can be driven

directly by a 4.0 V power source.

Features

 Directly driven by a 4.0 V power source.

 Low on-state resistance

R^DS(on)1= 105 m  MAX. (VGS = 10 V, ID = 2.0 A)

R^DS(on)2= 150 m MAX. (VGS = 4.0 V, ID = 2.0 A)

Ordering Information

Part Number

Lead Plating

Packing

Package

2SK2857C-T1-AZ/AY

-AZ : Sn-Bi , -AY : Pure Sn

1000p/Reel

SC-62 (3p PoMM)

Remark "-AZ/AY" indicates Pb-free. This product does not contain Pb in external electrode and other parts.

Marking XB

Absolute Maximum Ratings (T^A= 25°C)

Drain to Source Voltage (VGS = 0 V)

Gate to Source Voltage (VDS = 0 V)

Drain Current (DC)

VDSS

VGSS

ID(DC)

ID(pulse)

20

4.0

Drain Current (pulse) ^Note1

16

Total Power Dissipation ^Note2

Channel Temperature

2.0

C

Tch

150

Storage Temperature

Tstg

55 to 150

Note1 PW  10 s, Duty Cycle  1%

Note2 16 cm²X 0.7mm, ceramic substrate used

R07DS1261EJ0200 Rev.2.00

Jun 11, 2015

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