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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | unknown |
| HTS代码： | 8541.21.00.75 | 风险等级： | 5.82 |
| 其他特性： | LOW NOISE | 配置： | SINGLE |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 0.08 A | 最大漏极电流 (ID)： | 0.08 A |
| FET 技术： | JUNCTION | 最高频带： | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 工作模式： | DEPLETION MODE |
| 最高工作温度： | 125 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 0.1 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | GALLIUM ARSENIDE | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK2857 | NEC |
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N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR HIGH SPEED SWITCHING |
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| 2SK2857 | KEXIN |
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MOS Field Effect Transistor |
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| 2SK2857 | TYSEMI |
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Can be driven by a 5V power source. Low On-state resistance : RDS(on)1 = 220 m MAX |
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| 2SK2857-AZ | NEC |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 4A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o |
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| 2SK2857C | RENESAS |
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N-CHANNEL MOSFET FOR SWITCHING |
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| 2SK2857C-T1-AY | RENESAS |
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N-CHANNEL MOSFET FOR SWITCHING |
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| 2SK2857C-T1-AZ | RENESAS |
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N-CHANNEL MOSFET FOR SWITCHING |
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| 2SK2857-T1-AY | RENESAS |
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TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,60V V(BR)DSS,4A I(D),SOT-89 |
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| 2SK2858 | NEC |
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N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR HIGH SPEED SWITCHING |
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| 2SK2858-A | NEC |
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暂无描述 |
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