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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SC-62 | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.75 |
| 风险等级： | 5.86 | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 10 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 1 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 1 A | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最高频带： | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND | JESD-30 代码： | R-PSSO-F3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | DEPLETION MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.5 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK2855_07 | TOSHIBA |
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FIELD EFFECT TRANSISTOR SILICON N CHANNEL MOS TYPE UHF BAND AMPLIFIER APPLICATION |
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| 2SK2856 | TOSHIBA |
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N CHANNEL SINGLE GATE MODULATION DOPE TYPE (UHF BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS) |
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| 2SK2857 | NEC |
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N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR HIGH SPEED SWITCHING |
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| 2SK2857 | KEXIN |
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MOS Field Effect Transistor |
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| 2SK2857 | TYSEMI |
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Can be driven by a 5V power source. Low On-state resistance : RDS(on)1 = 220 m MAX |
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| 2SK2857-AZ | NEC |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 4A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o |
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| 2SK2857C | RENESAS |
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N-CHANNEL MOSFET FOR SWITCHING |
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| 2SK2857C-T1-AY | RENESAS |
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N-CHANNEL MOSFET FOR SWITCHING |
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| 2SK2857C-T1-AZ | RENESAS |
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N-CHANNEL MOSFET FOR SWITCHING |
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| 2SK2857-T1-AY | RENESAS |
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TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,60V V(BR)DSS,4A I(D),SOT-89 |
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