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| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.84 | 配置： | Single |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 10 A | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 30 W |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK2682 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 13A I(D) | TO-220FI |
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| 2SK2682LS | SANYO |
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Ultrahigh-Speed Switching Applications |
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| 2SK2683LS | SANYO |
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General-Purpose Switching Device |
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| 2SK2684 | HITACHI |
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Silicon N Channel DV-L MOS FET High Speed Power Switching |
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| 2SK2684 | RENESAS |
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Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
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| 2SK2684(L) | HITACHI |
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暂无描述 |
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| 2SK2684(L)|2SK2684(S) | ETC |
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| 2SK2684(S)TL | RENESAS |
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30A, 30V, 0.05ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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| 2SK2684(S)TR | RENESAS |
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30A, 30V, 0.05ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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| 2SK2684L | HITACHI |
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Silicon N Channel DV-L MOS FET High Speed Power Switching |
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