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2SK2684

更新时间: 2024-11-14 22:52:55
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日立 - HITACHI 开关电源开关
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10页 53K
描述
Silicon N Channel DV-L MOS FET High Speed Power Switching

2SK2684 数据手册

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2SK2684(L), 2SK2684(S)  
Silicon N Channel DV–L MOS FET  
High Speed Power Switching  
ADE-208-542  
1st. Edition  
Features  
Low on-resistance  
RDS(on) = 20 mtyp. (VGS = 10V, ID = 15 A)  
4V gate drive devices.  
High speed switching  
Outline  
LDPAK  
4
4
D
1
2
3
1
G
2
3
1. Gate  
2. Drain  
3. Source  
4. Drain  
S

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