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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> 2SK2688-01S
2SK2688-01S PDF预览

2SK2688-01S

更新时间： 2024-11-14 23:20:39
品牌 Logo 应用领域
富士电机 - FUJI 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
3页 145K
描述
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 50A I(D) | TO-252VAR

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2SK2688-01S 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.84
Is Samacsys：N其他特性：AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：520 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：50 A最大漏极电流 (ID)：50 A
最大漏源导通电阻：0.017 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSSO-G2元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：60 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：200 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

2SK2688-01S 数据手册

 浏览型号2SK2688-01S的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SK2688-01S的Datasheet PDF文件第3页 
N-channel MOS-FET  
2SK2688-01  
FAP-IIS Series  
30V 0,017W ±50A 60W  
> Features  
> Outline Drawing  
- High Speed Switching  
- Low On-Resistance  
- No Secondary Breakdown  
- Low Driving Power  
- High Voltage  
- VGS = ± 30V Guarantee  
- Repetitive Avalanche Rated  
> Applications  
- Switching Regulators  
- UPS  
- DC-DC converters  
- General Purpose Power Amplifier  
> Maximum Ratings and Characteristics  
> Equivalent Circuit  
- Absolute Maximum Ratings (TC=25°C), unless otherwise specified  
Item  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
Drain-Source-Voltage  
Continous Drain Current  
Pulsed Drain Current  
Gate-Source-Voltage  
Max. Avalanche Energy  
Max. Power Dissipation  
Operating and Storage Temperature Range  
V
30  
DS  
I
±50  
±200  
±16  
520  
60  
A
D
I
A
D(puls)  
V
V
GS  
E
mJ  
W
AV  
P
D
T
150  
°C  
°C  
ch  
T
-55 ~ +150  
stg  
L=0.277mH,Vcc=12V  
Electrical Characteristics (TC=25°C), unless otherwise specified  
-
Item  
Symbol  
Test conditions  
Min.  
30  
Typ.  
1,5  
Max.  
Unit  
V
ID=1mA  
ID=1mA  
VDS=30V  
VGS=0V  
VGS=±16V  
ID=25A  
VGS=0V  
Drain-Source Breakdown-Voltage  
Gate Threshhold Voltage  
Zero Gate Voltage Drain Current  
BV  
DSS  
VDS=VGS  
Tch=25°C  
Tch=125°C  
VDS=0V  
V
I
1,0  
2,0  
500  
1,0  
V
GS(th)  
DSS  
10  
0,2  
10  
µA  
mA  
nA  
W
Gate Source Leakage Current  
I
100  
GSS  
VGS=4V  
Drain Source On-State Resistance  
R
0,012 0,017  
DS(on)  
ID=25A  
VGS=10V  
VDS=25V  
0,0075  
45  
0,01  
W
ID=25A  
Forward Transconductance  
Input Capacitance  
g
C
C
C
t
22  
S
fs  
VDS=25V  
2750  
1300  
600  
13  
4130  
1950  
900  
20  
pF  
pF  
pF  
ns  
ns  
ns  
ns  
A
iss  
oss  
rss  
d(on)  
r
VGS=0V  
f=1MHz  
VCC=15V  
ID=50A  
Output Capacitance  
Reverse Transfer Capacitance  
Turn-On-Time ton (ton=td(on)+tr)  
t
180  
55  
270  
83  
Turn-Off-Time toff (ton=td(off)+tf)  
VGS=10V  
t
d(off)  
f
R
GS=10 W  
Tch=25°C  
t
150  
230  
Avalanche Capability  
I
L = 100µH  
50  
AV  
SD  
rr  
IF=2xIDR VGS=0V Tch=25°C  
IF=IDR VGS=0V  
Diode Forward On-Voltage  
Reverse Recovery Time  
Reverse Recovery Charge  
V
t
1,14  
85  
1,71  
130  
V
ns  
µC  
-dIF/dt=100A/µs Tch=25°C  
Q
0,17  
rr  
-
Thermal Characteristics  
Item  
Symbol  
Test conditions  
channel to case  
channel to air  
Min.  
Typ.  
Max.  
2,08  
Unit  
Thermal Resistance  
R
°C/W  
th(ch-c)  
th(ch-a)  
R
125,0 °C/W  
 
123

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