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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.3 | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 30 V | 最大漏极电流 (ID)： | 30 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.05 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK2684(S)TR | RENESAS |
获取价格 |
30A, 30V, 0.05ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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| 2SK2684L | HITACHI |
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Silicon N Channel DV-L MOS FET High Speed Power Switching |
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| 2SK2684L-E | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
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| 2SK2684S | HITACHI |
获取价格 |
Silicon N Channel DV-L MOS FET High Speed Power Switching |
|
| 2SK2684STL-E | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
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| 2SK2685 | HITACHI |
获取价格 |
GaAs HEMT |
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| 2SK2685ZT | HITACHI |
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暂无描述 |
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| 2SK2685ZT-UL | HITACHI |
获取价格 |
暂无描述 |
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| 2SK2687-01 | FUJI |
获取价格 |
N-channel MOS-FET |
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| 2SK2687-01_05 | FUJI |
获取价格 |
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
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