2SK2685ZT

更新时间： 2024-11-15 13:04:27

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2SK2685ZT 数据手册

2SK2685

GaAs HEMT

ADE-208-400

1st. Edition

Application

UHF low noise amplifier

Features

•

Excellent low noise characteristics.

Fmin = 0.83 dB Typ. (3 V, 10 mA, 2 GHz)

High associated gain.

Ga = 17 dB Typ. (3 V, 10 mA, 2 GHz)

High voltage.

V_DS= 6 or more voltage.

Small package. (CMPAK-4)

Outline

CMPAK–4

1. Source

2. Gate

3. Source

4. Drain

12 3 4 5 6 7...10

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SK2685ZT-UL	HITACHI	获取价格	暂无描述
2SK2687-01	FUJI	获取价格	N-channel MOS-FET
2SK2687-01_05	FUJI	获取价格	N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET
2SK2688-01	FUJI	获取价格	N-channel MOS-FET
2SK2688-01L	FUJI	获取价格	N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET
2SK2688-01LS	FUJI	获取价格	Transistor
2SK2688-01S	FUJI	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 30V V(BR)DSS \| 50A I(D) \| TO-252VAR
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