2SK2687-01

更新时间： 2024-11-14 22:19:59

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富士电机 - FUJI		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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N-channel MOS-FET

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2SK2687-01 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
其他特性：	AVALANCHE RATED	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	50 A
最大漏极电流 (ID)：	50 A	最大漏源导通电阻：	0.017 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	60 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	200 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SK2687-01 数据手册

N-channel MOS-FET

2SK2687-01

FAP-IIS Series

30V 0,01W ±50A 60W

> Features

> Outline Drawing

- High Current

- Low On-Resistance

- No Secondary Breakdown

- Low Driving Power

- Avalanche Rated

> Applications

- Motor Control

- General Purpose Power Amplifier

DC-DC converters

> Maximum Ratings and Characteristics

> Equivalent Circuit

- Absolute Maximum Ratings (TC=25°C), unless otherwise specified

Item

Symbol

Rating

Unit

Drain-Source-Voltage

Continous Drain Current

Pulsed Drain Current

±50

±200

D(puls)

Gate-Source-Voltage

±16

Maximum Avalanche Energy

Max. Power Dissipation

Operating and Storage Temperature Range

520

mJ*

150

°C

-55 ~ +150

* L=0,277mH, V_CC=12V

stg

Electrical Characteristics (T_C=25°C), unless otherwise specified

Item

Symbol

Test conditions

Min.

Typ.

1,5

Max.

Unit

I_D=1mA

V_DS=30V

V_GS=0V

V_GS=±16V

I_D=25A

V_GS=0V

Drain-Source Breakdown-Voltage

Gate Threshhold Voltage

Zero Gate Voltage Drain Current

DSS

V_DS=V_GS

T_ch=25°C

T_ch=125°C

V_DS=0V

1,0

2,0

500

1,0

GS(th)

DSS

0,2

µA

Gate Source Leakage Current

100

GSS

V_GS=4V

Drain Source On-State Resistance

0,012 0,017

DS(on)

V_GS=10V

V_DS=25V

0,0075

0,01

I_D=25A

Forward Transconductance

Input Capacitance

V_DS=25V

2750

1300

600

4130

1950

900

iss

oss

rss

d(on)

V_GS=0V

f=1MHz

V_CC=15V

I_D=50A

Output Capacitance

Reverse Transfer Capacitance

Turn-On-Time t_on(t_on=t_d(on)+t_r)

180

270

Turn-Off-Time t_off(t_on=t_d(off)+t_f)

V_GS=10V

R_GS=10 W

d(off)

150

230

T_ch=25°C

Avalanche Capability

L = 100µH

I_F=2xI_DRV_GS=0V T_ch=25°C

I_F=2xI_DRV_GS=0V

Diode Forward On-Voltage

Reverse Recovery Time

Reverse Recovery Charge

1,14

1,71

130

µC

-dI_F/dt=100A/µs T_ch=25°C

0,17

Thermal Characteristics

Item

Symbol

Test conditions

channel to air

Min.

Typ.

Max.

Unit

Thermal Resistance

75 °C/W

th(ch-a)

th(ch-c)

channel to case

2,08 °C/W

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