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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> 2SK2695-01
2SK2695-01 PDF预览

2SK2695-01

更新时间： 2024-01-15 00:35:47
品牌 Logo 应用领域
富士电机 - FUJI 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
3页 288K
描述
N-channel MOS-FET

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2SK2695-01 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：TO-220AB
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.75
Is Samacsys：N其他特性：AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：222.8 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：700 V最大漏极电流 (ID)：5 A
最大漏源导通电阻：1.85 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：20 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

2SK2695-01 数据手册

 浏览型号2SK2695-01的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SK2695-01的Datasheet PDF文件第3页 
N-channel MOS-FET  
2SK2695-01  
FAP-IIIB Series  
700V  
1,85W ±5A  
60W  
> Features  
> Outline Drawing  
- High Current  
- Low On-Resistance  
- No Secondary Breakdown  
- Low Driving Power  
- Avalanche Rated  
> Applications  
- Motor Control  
- General Purpose Power Amplifier  
DC-DC converters  
-
> Maximum Ratings and Characteristics  
- Absolute Maximum Ratings (TC=25°C), unless otherwise specified  
Item  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
Drain-Source-Voltage  
Continous Drain Current  
Pulsed Drain Current  
V
700  
DS  
I
±5  
±20  
A
D
I
A
D(puls)  
Gate-Source-Voltage  
V
±30  
V
GS  
Maximum Avalanche Energy  
Max. Power Dissipation  
Operating and Storage Temperature Range  
E
222.8  
60  
mJ*  
W
AV  
P
D
T
150  
°C  
°C  
ch  
T
-55 ~ +150  
stg  
Electrical Characteristics (TC=25°C), unless otherwise specified  
-
Item  
Symbol  
Test conditions  
Min.  
700  
2,5  
Typ.  
3,0  
Max.  
Unit  
V
ID=1mA  
ID=1mA  
VDS=700V  
VGS=0V  
VGS=±30V  
ID=2,5A  
ID=2,5A  
VGS=0V  
Drain-Source Breakdown-Voltage  
Gate Threshhold Voltage  
Zero Gate Voltage Drain Current  
BV  
DSS  
VDS=VGS  
Tch=25°C  
Tch=125°C  
VDS=0V  
V
I
3,5  
500  
1,0  
V
GS(th)  
DSS  
10  
0,2  
10  
µA  
mA  
nA  
W
Gate Source Leakage Current  
Drain Source On-State Resistance  
Forward Transconductance  
Input Capacitance  
I
R
g
C
C
C
t
100  
1,85  
GSS  
DS(on)  
fs  
VGS=10V  
VDS=25V  
1,4  
4
2
S
VDS=25V  
820  
120  
65  
1230  
180  
100  
30  
pF  
pF  
pF  
ns  
ns  
ns  
ns  
A
iss  
VGS=0V  
f=1MHz  
VCC=600V  
VGS=10V  
ID=5A  
Output Capacitance  
oss  
rss  
d(on)  
r
Reverse Transfer Capacitance  
Turn-On-Time ton (ton=td(on)+tr)  
20  
t
45  
70  
Turn-Off-Time toff (ton=td(off)+tf)  
t
80  
120  
70  
d(off)  
f
RGS=10 W  
t
45  
Tch=25°C  
Avalanche Capability  
I
L = 100µH  
5
AV  
SD  
rr  
IF=2 X IDR VGS=0V Tch=25°C  
IF=IDR VGS=0V  
Diode Forward On-Voltage  
Reverse Recovery Time  
Reverse Recovery Charge  
V
t
0,93  
610  
5,5  
1,4  
V
ns  
µC  
-dI/dt=100A/µs Tch=25°C  
Q
rr  
-
Thermal Characteristics  
Item  
Symbol  
Min.  
Typ.  
Max.  
Unit  
Thermal Resistance  
R
R
channel to case  
channel to ambient  
2,08 °C/W  
75,0 °C/W  
th(ch-c)  
th(ch-a)  
 
123

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与2SK2695-01相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SK2696-01MR FUJI

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 700V, 1.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
2SK2697-01MR FUJI

获取价格

 		Transistor
2SK2698 TOSHIBA

获取价格

 		N CHANNEL MOS TYPE (HIGH SPEED, HIGH VOLTAGE SWITCHING, DC-DC CONVERTER, RELAY DRIVE AND M
2SK2698(T) TOSHIBA

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 		暂无描述
2SK2698_06 TOSHIBA

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 		Silicon N Channel MOS Type DC−DC Converter, Relay Drive and Motor Drive Applications
2SK2698_09 TOSHIBA

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 		Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
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2SK2699_06 TOSHIBA

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