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| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.75 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | AVALANCHE RATED |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 222.8 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 700 V | 最大漏极电流 (ID)： | 5 A |
| 最大漏源导通电阻： | 1.85 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 20 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK2696-01MR | FUJI |
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Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 700V, 1.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| 2SK2697-01MR | FUJI |
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Transistor |
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| 2SK2698 | TOSHIBA |
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N CHANNEL MOS TYPE (HIGH SPEED, HIGH VOLTAGE SWITCHING, DC-DC CONVERTER, RELAY DRIVE AND M |
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| 2SK2698(T) | TOSHIBA |
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暂无描述 |
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| 2SK2698_06 | TOSHIBA |
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Silicon N Channel MOS Type DC−DC Converter, Relay Drive and Motor Drive Applications |
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| 2SK2698_09 | TOSHIBA |
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DC−DC Converter, Relay Drive and Motor Drive Applications |
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| 2SK2699 | TOSHIBA |
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N CHANNEL MOS TYPE (HIGH SPEED, HIGH VOLTAGE SWITCHING, CHOPPER REGULATOR, DC-DC CONVERTER |
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| 2SK2699(F) | TOSHIBA |
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Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN |
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| 2SK2699(Q) | TOSHIBA |
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TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,600V V(BR)DSS,12A I(D),TO-247VAR |
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| 2SK2699_06 | TOSHIBA |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS Type Chopper Regulator, DC−DC Converter and Motor Drive Applic |
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