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2SK2701A

更新时间: 2024-06-27 12:12:30
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2页 453K
描述
N-Channel MOSFET

2SK2701A 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active零件包装代码:TO-220AB
包装说明:TO-220F, FM20, 3 PIN针数:3
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.82
雪崩能效等级(Eas):130 mJ外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE最小漏源击穿电压:450 V
最大漏极电流 (ID):7 A最大漏源导通电阻:1.1 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM):28 A
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管元件材料:SILICON

2SK2701A 数据手册

 浏览型号2SK2701A的Datasheet PDF文件第2页 
DIP Type  
MOSFET  
N-Channel MOSFET  
2SK2701A  
Unit: mm  
TO-220F  
±0.20  
Features  
±0.20  
±0.20  
2.54  
±0.20  
18  
±0.20  
0.70  
VDS (V) = 450 V  
φ3.  
I  
D = 7.0 A (VGS = 10V)  
RDS(ON) 1.1Ω (VGS = 10V)  
±0.20  
2.76  
1.47max  
±0.20  
0.50  
±0.20  
0.80  
2.54typ  
2.54typ  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25)  
Parameter  
Drain-Source Voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
VDS  
GS  
450  
Gate-Source Voltage  
V
±30  
Continuous Drain Current  
I
D
7
28  
A
*1  
I
DM  
AS  
AS  
Pulsed Drain Current  
*2  
E
130  
mJ  
A
Avalanche Energy  
Avalanche Current  
I
7
Power Dissipation (T  
Junction Temperature  
C
=25)  
P
D
35  
W
T
J
150  
Storage Temperature Range  
*1: P 100µs, duty cycle1%  
*2: VDD = 30V, L = 5mH, I = 7A, unclamped, RG = 50.  
T
stg  
-55 to 150  
W
L
Electrical Characteristics Ta = 25℃  
Parameter  
Drain-Source Breakdown Voltage  
Zero Gate Voltage Drain Current  
Gate-Body Leakage Current  
Gate Threshold Voltage  
Static Drain-Source On-Resistance  
Forward Transconductance  
Input Capacitance  
Symbol  
Test Conditions  
Min  
450  
Typ  
Max  
Unit  
V
V
DSS  
I
D
=100μA, VGS=0V  
DS=450V, VGS=0V  
DS=0V, VGS=±30V  
I
DSS  
GSS  
V
V
V
V
V
100  
±100  
4.0  
μA  
nA  
V
I
V
GS(th)  
DS=10V, I  
GS=10V, I  
DS=20V, I  
D
=1mA  
2.0  
3.5  
RDS(O  
n)  
Ω
D
=3.5A  
1.1  
g
FS  
iss  
oss  
rss  
d(on)  
D
=3.5A  
S
C
720  
150  
65  
V
GS=0V, VDS=10V, f=1MHz  
pF  
Output Capacitance  
C
Reverse Transfer Capacitance  
Turn-On DelayTime  
C
t
25  
Turn-On Rise Time  
t
r
40  
I
D
= 3.5A, VDD = 200V,  
ns  
V
RL = 57, VGS = 10V,  
Turn-Off DelayTime  
t
d(off)  
70  
Turn-Off Fall Time  
t
f
50  
Diode Forward Voltage  
V
SD  
I
S=7A,VGS=0V  
1.5  
1
www.kexin.com.cn  

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