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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> 2SK2705
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2SK2705

更新时间： 2024-11-14 22:52:55
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三垦 - SANKEN 晶体晶体管功率场效应晶体管脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
1页 38K
描述
MOSFET

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2SK2705 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-3PF
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.83
其他特性：UL APPROVED雪崩能效等级（Eas）：400 mJ
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
最小漏源击穿电压：450 V最大漏极电流 (ID)：13 A
最大漏源导通电阻：0.57 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：52 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

2SK2705 数据手册

  
2SK2705  
External dimensions  
2 ...... FM100  
Absolute Maximum Ratings  
Electrical Characteristics  
(Ta = 25ºC)  
(Ta = 25ºC)  
Ratings  
typ  
Symbol  
Ratings  
Unit  
Symbol  
Unit  
Conditions  
min  
450  
max  
V(BR) DSS  
IGSS  
IDSS  
V
nA  
µA  
V
ID = 100µA, VGS = 0V  
VGS = ±30V  
VDSS  
VGSS  
ID  
450  
±30  
V
V
±100  
100  
4.0  
VDS = 450V, VGS = 0V  
VDS = 10V, ID = 1mA  
VDS = 20V, ID = 6.5A  
±13  
A
VTH  
2.0  
6.0  
3.0  
9.0  
1
ID (pulse)  
±52  
A
*
Re (yfs)  
RDS (on)  
Ciss  
Coss  
Crss  
td (on)  
tr  
S
0.48  
1300  
280  
130  
30  
0.57  
Ω
VGS = 10V, ID = 6.5A  
PD  
EAS  
75 (Tc = 25ºC)  
400  
W
mJ  
A
pF  
pF  
pF  
ns  
ns  
ns  
ns  
V
2
*
VDS = 10V, f = 1.0MHz,  
VGS = 0V  
IAS  
13  
Tch  
Tstg  
150  
ºC  
ºC  
ID = 6.5A, VDD 200V,  
RL = 30Ω, VGS = 10V,  
See Figure 2 on Page 5.  
40  
–55 to +150  
td (off)  
tf  
95  
1: PW 100µs, duty cycle 1%  
2: VDD = 30V, L = 4.5mH, IL = 13A, unclamped, RG = 50Ω,  
See Figure 1 on Page 5.  
*
50  
*
VSD  
1.0  
1.5  
ISD = 13A, VGS = 0V  
VDS — ID Characteristics  
VGS — ID Characteristics  
ID — RDS (ON) Characteristics  
0.6  
0.5  
14  
14  
12  
10  
VDS = 20V  
VGS = 10V  
5.5V  
10V  
12  
10  
8
0.4  
0.3  
0.2  
0.1  
0
8
6
4
2
0
5V  
6
TC = –55ºC  
25ºC  
4
4.5V  
125ºC  
2
VGS = 4V  
15  
0
0
5
10  
20  
0
2
4
6
8
0
2
4
6
8
10  
12 13  
VDS (V)  
VGS (V)  
ID (A)  
I
D — Re(yfs) Characteristics  
VGS — VDS Characteristics  
TC — RDS (ON) Characteristics  
10  
8
20  
10  
5
1.4  
1.2  
1.0  
ID = 6.5A  
VGS = 10V  
VDS = 20V  
TC = –55ºC  
25ºC  
ID = 13A  
ID = 6.5A  
125ºC  
6
0.8  
0.6  
4
1
0.4  
0.2  
0
2
0
0.5  
0.2  
0.05 0.1  
4
5
10  
20  
150  
0.5  
1
5
13  
–50  
0
50  
100  
ID (A)  
VGS (V)  
Tc (ºC)  
VDS — Capacitance Characteristics  
V
SD — IDR Characteristics  
Safe Operating Area  
Ta — PD Characteristics  
(Tc=25ºC)  
70  
50  
5000  
14  
12  
10  
75  
VGS = 0V  
70  
60  
50  
40  
30  
20  
10  
0
ID (pulse) max  
ID max  
f= 1MHz  
Ciss  
10  
5
1000  
500  
8
6
4
2
0
5V,10V  
1
Coss  
Crss  
40  
0.5  
VGS = 0V  
100  
50  
Without heatsink  
0.1  
0
10  
20  
30  
50  
0
0.5  
1.0  
1.5  
0
50  
100  
Ta (ºC)  
150  
3
5
10  
50 100  
VDS (V)  
500  
VDS (V)  
VSD (V)  
33  
1

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