5秒后页面跳转
2SK2701 PDF预览

2SK2701

更新时间: 2024-02-14 16:04:17
品牌 Logo 应用领域
三垦 - SANKEN 晶体晶体管功率场效应晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
1页 38K
描述
MOSFET

2SK2701 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active零件包装代码:TO-220AB
包装说明:TO-220F, FM20, 3 PIN针数:3
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.82
雪崩能效等级(Eas):130 mJ外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE最小漏源击穿电压:450 V
最大漏极电流 (ID):7 A最大漏源导通电阻:1.1 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM):28 A
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管元件材料:SILICON

2SK2701 数据手册

  
2SK2701  
External dimensions  
1 ...... FM20  
Absolute Maximum Ratings  
Electrical Characteristics  
(Ta = 25ºC)  
(Ta = 25ºC)  
Ratings  
typ  
Symbol  
Ratings  
Unit  
Symbol  
Unit  
Conditions  
min  
450  
max  
V(BR) DSS  
IGSS  
IDSS  
V
nA  
µA  
V
ID = 100µA, VGS = 0V  
VGS = ±30V  
VDSS  
VGSS  
ID  
450  
V
V
±100  
100  
4.0  
±30  
VDS = 450V, VGS = 0V  
VDS = 10V, ID = 1mA  
VDS = 20V, ID = 3.5A  
±7  
A
VTH  
2.0  
3.5  
3.0  
5
1
ID (pulse)  
±28  
35 (Tc = 25ºC)  
130  
A
*
Re (yfs)  
RDS (on)  
Ciss  
Coss  
Crss  
td (on)  
tr  
S
0.84  
720  
150  
65  
1.10  
V
GS = 10V, ID = 3.5A  
PD  
EAS  
W
mJ  
A
pF  
pF  
pF  
ns  
ns  
ns  
ns  
V
2
*
V
DS = 10V, f = 1.0MHz,  
VGS = 0V  
IAS  
7
Tch  
Tstg  
150  
ºC  
ºC  
25  
ID = 3.5A, VDD = 200V,  
RL = 57, VGS = 10V,  
See Figure 2 on Page 5.  
40  
55 to +150  
td (off)  
tf  
70  
1: PW 100µs, duty cycle 1%  
2: VDD = 30V, L = 5mH, IL = 7A, unclamped, RG = 50,  
See Figure 1 on Page 5.  
*
50  
*
VSD  
1.0  
1.5  
ISD = 7A, VGS = 0V  
VDS ID Characteristics  
VGS ID Characteristics  
ID RDS (ON) Characteristics  
1.0  
0.8  
0.6  
0.4  
7
7
6
5
4
VGS = 10V  
VDS =20V  
10V  
5.5V  
6
5
5V  
4
3
2
3
2
1
0
VGS = 4.5V  
TC = 55ºC  
25ºC  
125ºC  
0.2  
0
1
0
0
5
10  
15  
20  
0
2
4
6
8
0
1
2
3
4
5
6
7
VDS (V)  
VGS (V)  
ID (A)  
I
D Re(yfs) Characteristics  
VGS VDS Characteristics  
TC RDS (ON) Characteristics  
10  
8
2.5  
2.0  
10  
5
VDS = 20V  
ID = 3.5A  
VGS = 10V  
T
C = 55ºC  
25ºC  
ID = 7A  
125ºC  
6
1.5  
1.0  
1
4
ID = 3.5A  
0.5  
2
0
0.5  
0
0.2  
0.05 0.1  
4
5
10  
20  
150  
0.5  
1
5 7  
50  
0
50  
100  
ID (A)  
VGS (V)  
Tc (ºC)  
VDS Capacitance Characteristics  
V
SD IDR Characteristics  
Safe Operating Area  
Ta PD Characteristics  
(Tc=25ºC)  
2000  
1000  
500  
7
6
5
4
3
2
1
0
50  
40  
ID (pulse) max  
VGS = 0V  
f= 1MHz  
10  
5
ID max  
30  
20  
10  
0
Ciss  
1
VGS = 0V  
5V,10V  
100  
50  
0.5  
Coss  
Crss  
40  
0.1  
Without heatsink  
20  
0.05  
0
10  
20  
30  
50  
0
0.2  
0.4  
0.6  
0.8  
1.0  
0
50  
100  
Ta (ºC)  
150  
3
5
10  
50 100  
VDS (V)  
500  
VDS (V)  
VSD (V)  
29  

与2SK2701相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SK2701A SANKEN

获取价格

三垦电气的功率MOSFET通过降低导通电阻损耗和开关损耗,有助于提高开关电路效率。
2SK2701A KEXIN

获取价格

N-Channel MOSFET
2SK2702 SANKEN

获取价格

MOSFET
2SK2703 SANKEN

获取价格

MOSFET
2SK2704 SANKEN

获取价格

MOSFET
2SK2705 SANKEN

获取价格

MOSFET
2SK2706 SANKEN

获取价格

MOSFET
2SK2707 SANKEN

获取价格

MOSFET
2SK2708 SANKEN

获取价格

MOSFET
2SK2709 SANKEN

获取价格

MOSFET