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2SK2685

更新时间： 2024-01-03 07:36:56
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日立 - HITACHI /
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GaAs HEMT

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2SK2685  
GaAs HEMT  
ADE-208-400  
1st. Edition  
Application  
UHF low noise amplifier  
Features  
•
•
•
•
Excellent low noise characteristics.  
Fmin = 0.83 dB Typ. (3 V, 10 mA, 2 GHz)  
High associated gain.  
Ga = 17 dB Typ. (3 V, 10 mA, 2 GHz)  
High voltage.  
VDS = 6 or more voltage.  
Small package. (CMPAK-4)  
Outline  
CMPAK–4  
2
3
1
1. Source  
2. Gate  
4
3. Source  
4. Drain  
1234567...10

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