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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> 2SK2684(S)TR
2SK2684(S)TR PDF预览

2SK2684(S)TR

更新时间： 2024-11-15 12:59:19
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS 开关电源开关
页数 文件大小 规格书
8页 90K
描述
30A, 30V, 0.05ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET

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2SK2684(S)TR 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.3配置：SINGLE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (ID)：30 A
最大漏源导通电阻：0.05 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSSO-G2元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

2SK2684(S)TR 数据手册

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2SK2684(L), 2SK2684(S)  
Silicon N Channel MOS FET  
High Speed Power Switching  
REJ03G1022-0200  
(Previous: ADE-208-542)  
Rev.2.00  
Sep 07, 2005  
Application  
High speed power switching  
Features  
•
•
•
•
•
Low on-resistance  
High speed switching  
Low drive current  
No secondary breakdown  
Suitable for switching regulator, DC-DC converter  
Outline  
RENESAS Package code: PRSS0004AE-A  
(Package name: LDPAK(L))  
RENESAS Package code: PRSS0004AE-B  
(Package name: LDPAK(S)-(1))  
4
4
D
1. Gate  
G
2. Drain  
3. Source  
4. Drain  
1
2
3
1
2
3
S
Rev.2.00 Sep 20, 2005 page 1 of 7  
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SK2684L HITACHI

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