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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | LDPAK(S)-(1) | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.84 |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 30 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 30 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 30 A | 最大漏源导通电阻： | 0.05 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e6 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 245 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 50 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 120 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | TIN BISMUTH | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 20 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK2685 | HITACHI |
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GaAs HEMT |
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| 2SK2685ZT | HITACHI |
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暂无描述 |
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| 2SK2685ZT-UL | HITACHI |
获取价格 |
暂无描述 |
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| 2SK2687-01 | FUJI |
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N-channel MOS-FET |
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| 2SK2687-01_05 | FUJI |
获取价格 |
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
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| 2SK2688-01 | FUJI |
获取价格 |
N-channel MOS-FET |
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| 2SK2688-01L | FUJI |
获取价格 |
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
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| 2SK2688-01LS | FUJI |
获取价格 |
Transistor |
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| 2SK2688-01S | FUJI |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 50A I(D) | TO-252VAR |
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| 2SK2689-01MR | FUJI |
获取价格 |
N-channel MOS-FET |
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