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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.68 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 30 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 30 A | 最大漏极电流 (ID)： | 30 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.05 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | JESD-609代码： | e6 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 50 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 120 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN BISMUTH | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK2684S | HITACHI |
获取价格 |
Silicon N Channel DV-L MOS FET High Speed Power Switching |
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| 2SK2684STL-E | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
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| 2SK2685 | HITACHI |
获取价格 |
GaAs HEMT |
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| 2SK2685ZT | HITACHI |
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暂无描述 |
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| 2SK2685ZT-UL | HITACHI |
获取价格 |
暂无描述 |
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| 2SK2687-01 | FUJI |
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N-channel MOS-FET |
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| 2SK2687-01_05 | FUJI |
获取价格 |
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
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| 2SK2688-01 | FUJI |
获取价格 |
N-channel MOS-FET |
|
| 2SK2688-01L | FUJI |
获取价格 |
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
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| 2SK2688-01LS | FUJI |
获取价格 |
Transistor |
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