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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | 2-16F1B, 3 PIN | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.91 | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 800 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 8.5 A | 最大漏源导通电阻： | 1.2 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 90 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| 2SK2607 | TOSHIBA |
功能相似  |
N CHANNEL MOS TYPE (HIGH SPEED, HIGH VOLTAGE SWITCHING, CHOPPER REGULATOR, DC-DC CONVERTER |
|
| STW9NA80 | STMICROELECTRONICS |
功能相似 |
N - CHANNEL 800V - 0.85ohm - 9.1A - TO-247/ISOWATT218 FAST POWER MOS TRANSISTOR |
|
| 2SK2078 | TOSHIBA |
功能相似 |
Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK2321 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-263 |
|
| 2SK2322(L) | RENESAS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 0.05ohm, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
|
| 2SK2322(S) | RENESAS |
获取价格 |
0.05ohm, POWER, FET |
|
| 2SK2322(S)TL | RENESAS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 60V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| 2SK2322(S)TR | RENESAS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 60V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| 2SK2322LL | RENESAS |
获取价格 |
15A, 60V, 0.05ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LDPAK-3 |
|
| 2SK2324 | PANASONIC |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 600V, 6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o |
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| 2SK2325 | ETC |
获取价格 |
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| 2SK2326 | ETC |
获取价格 |
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|
| 2SK2327 | ETC |
获取价格 |
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