是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | 2-16F1B, 3 PIN | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.91 | 外壳连接: | ISOLATED |
配置: | SINGLE | 最小漏源击穿电压: | 800 V |
最大漏极电流 (ID): | 8.5 A | 最大漏源导通电阻: | 1.2 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 |
JESD-609代码: | e0 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 功耗环境最大值: | 90 W |
认证状态: | Not Qualified | 表面贴装: | NO |
端子面层: | TIN LEAD | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
2SK2607 | TOSHIBA |
功能相似 |
N CHANNEL MOS TYPE (HIGH SPEED, HIGH VOLTAGE SWITCHING, CHOPPER REGULATOR, DC-DC CONVERTER | |
STW9NA80 | STMICROELECTRONICS |
功能相似 |
N - CHANNEL 800V - 0.85ohm - 9.1A - TO-247/ISOWATT218 FAST POWER MOS TRANSISTOR | |
2SK2078 | TOSHIBA |
功能相似 |
Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
2SK2321 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-263 | |
2SK2322(L) | RENESAS |
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Power Field-Effect Transistor, 0.05ohm, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | |
2SK2322(S) | RENESAS |
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0.05ohm, POWER, FET | |
2SK2322(S)TL | RENESAS |
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Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 60V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta | |
2SK2322(S)TR | RENESAS |
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Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 60V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta | |
2SK2322LL | RENESAS |
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15A, 60V, 0.05ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LDPAK-3 | |
2SK2324 | PANASONIC |
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Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 600V, 6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o | |
2SK2325 | ETC |
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2SK2326 | ETC |
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2SK2327 | ETC |
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