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2SK2320

更新时间: 2024-11-02 20:40:07
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 局域网开关晶体管
页数 文件大小 规格书
45页 1424K
描述
TRANSISTOR 8.5 A, 800 V, 1.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power

2SK2320 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:2-16F1B, 3 PINReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.91外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE最小漏源击穿电压:800 V
最大漏极电流 (ID):8.5 A最大漏源导通电阻:1.2 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL功耗环境最大值:90 W
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子面层:TIN LEAD端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

2SK2320 数据手册

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2004-3  
PRODUCT GUIDE  
Power MOSFETs  
semiconductor  
http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng  
2004  

2SK2320 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
2SK2607 TOSHIBA

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2SK2322(S)TR RENESAS

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Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 60V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
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