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2SK2078

更新时间: 2024-11-01 21:55:35
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东芝 - TOSHIBA 晶体晶体管场效应晶体管开关局域网
页数 文件大小 规格书
5页 217K
描述
Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type

2SK2078 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TO-3PN包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数:2Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.31Is Samacsys:N
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE
最小漏源击穿电压:800 V最大漏极电流 (ID):9 A
最大漏源导通电阻:1.2 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PSFM-T3JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
功耗环境最大值:150 W认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

2SK2078 数据手册

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