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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.84 |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 500 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 15 A | 最大漏源导通电阻： | 0.55 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 80 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 最大关闭时间（toff）： | 500 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 260 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK2080-0IR | ETC |
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| 2SK2081-01 | FUJI |
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N-channel MOS-FET |
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| 2SK2082-01 | FUJI |
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N-channel MOS-FET |
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| 2SK2083 | SANYO |
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Very High-Speed Switching Applications |
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| 2SK2084 | HITACHI |
获取价格 |
Silicon N-Channel MOS FET |
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| 2SK2084 | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS FET |
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| 2SK2084(L) | HITACHI |
获取价格 |
暂无描述 |
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| 2SK2084(L)-(2) | HITACHI |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,20V V(BR)DSS,7A I(D),TO-251VAR |
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| 2SK2084(L)|2SK2084(S) | ETC |
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| 2SK2084(S) | RENESAS |
获取价格 |
0.075 ohm, POWER, FET, DPAK-3 |
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