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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.3 |
| Is Samacsys： | N | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 900 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 5 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 5 A | 最大漏源导通电阻： | 3.6 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | DEPLETION MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 70 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 70 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 10 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK2084 | HITACHI |
获取价格 |
Silicon N-Channel MOS FET |
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| 2SK2084 | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS FET |
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| 2SK2084(L) | HITACHI |
获取价格 |
暂无描述 |
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| 2SK2084(L)-(2) | HITACHI |
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TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,20V V(BR)DSS,7A I(D),TO-251VAR |
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| 2SK2084(L)|2SK2084(S) | ETC |
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| 2SK2084(S) | RENESAS |
获取价格 |
0.075 ohm, POWER, FET, DPAK-3 |
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| 2SK2084(S) | HITACHI |
获取价格 |
0.075ohm, POWER, FET, DPAK-3 |
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| 2SK2084(S)-(1) | HITACHI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| 2SK2084(S)TL | HITACHI |
获取价格 |
暂无描述 |
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| 2SK2084(S)TR | HITACHI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 20V, 0.075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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