生命周期: | Obsolete | 包装说明: | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.68 |
Is Samacsys: | N | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 60 V |
最大漏极电流 (ID): | 15 A | 最大漏源导通电阻: | 0.05 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | R-PSIP-T3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 60 A |
认证状态: | Not Qualified | 表面贴装: | NO |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
2SK2324 | PANASONIC |
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Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 600V, 6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o |
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2SK2325 | ETC |
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2SK2326 | ETC |
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2SK2327 | ETC |
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2SK2328 | HITACHI |
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Silicon N-Channel MOS FET |
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2SK2328 | RENESAS |
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Silicon N Channel MOS FET |
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2SK2328-E | RENESAS |
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Silicon N Channel MOS FET |
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2SK2329 | RENESAS |
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Silicon N Channel MOS FET |
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2SK2329 | HITACHI |
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Silicon N-Channel MOS FET |
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2SK2329(L) | HITACHI |
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Power Field-Effect Transistor, 0.06ohm, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, DPAK-3 |
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