2SK2329(S)TR

更新时间： 2024-01-15 05:00:34

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2SK2329(S)TR 数据手册

2SK2329(L), 2SK2329(S)

Silicon N-Channel MOS FET

Application

High speed power switching

Features

•

Low on-resistance

High speed switching

Low drive current

2.5 V gate drive device can be driven from 3 V source

Suitable for Switching regulator, DC-DC converter

Outline

DPAK-2

1. Gate

2. Drain

3. Source

4. Drain

12 3 4 5 6 7...10

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SK2329-E	RENESAS	获取价格	Silicon N Channel MOS FET
2SK2329L	HITACHI	获取价格	Silicon N-Channel MOS FET
2SK2329S	HITACHI	获取价格	Silicon N-Channel MOS FET
2SK2329S	KEXIN	获取价格	Silicon N-Channel MOSFET
2SK2329S	TYSEMI	获取价格	Low on-resistance High speed switching Suitable for Switching regulator, DC-DC converter
2SK2330(L)	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 500V V(BR)DSS \| 15A I(D) \| TO-262VAR
2SK2330(S)	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 500V V(BR)DSS \| 15A I(D) \| TO-263VAR
2SK2330L	ETC	获取价格
2SK2330S	ETC	获取价格
2SK2331	TOSHIBA	获取价格	N CHANNEL SINGLE GATE MODULATION DOPE TYPE (SHF BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS)