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2SK2342

更新时间： 2024-02-10 21:16:34

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松下 - PANASONIC		开关晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	148K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 2A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,

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2SK2342 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.84
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (ID)：	2 A	最大漏源导通电阻：	0.45 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SK2342 数据手册

Power F-MOS FETs

2SK2342

Silicon N-Channel MOS

Unit : mm

For motor drive

6.5±0.1

For DC-DC converter

5.3±0.1

4.35±0.1

3.0±0.1

■ Features

●

Low ON-resistance R_DS(on)

●

High-speed switching

1.0±0.1

0.5±0.1

0.05 to 0.15

0.85±0.1

4.6±0.1

0.75±0.1

■ Absolute Maximum Ratings (Tc = 25˚C)

Parameter

Symbol

V_DSS

V_GSS

I_D

Rating

Unit

1 : Gate

2 : Drain

3 : Source

EIAJ : SC-63

Drain-Source breakdown voltage

Gate-Source voltage

±15

Marking

U Type Package

±2

Drain current

I_DP

±8

■ Internal Connection

P_D

0.75

˚C

Allowable power dissipation

P_D

Channel temperature

Storage temperature

T_ch

150

T_stg

–55 to +150

* 1 t ≤ 200µ s, Duty Cycle < 10% *2 T_C= 25˚C

■ Electrical Characteristics (Tc = 25˚C)

Parameter

Symbol

I_DSS

Condition

Min

Typ

Max

Unit

µ A

Drain-Source cut-off current

Gate-Source leakage current

Drain-Source breakdown voltage

Gate threshold voltage

V_DS= 25V, V_GS= 0

I_GSS

V_GS= ±15V, V_DS= 0

I_D= 0.1mA, V_GS= 0

V_DS= 5V, I_D=1mA

V_GS= 4V, I_D=1A

V_GS=10V, I_D=1A

V_DS=10V, I_D=1A

±10

V_DSS

V_th

0.8

R_DS(on)

0.32

0.26

0.45

0.35

Ω

Drain-Source ON-resistance

R_DS(on)

Ω

Forward transadmittance

Input capacitance

Output capacitance

Feedback capacitance

Turn-on time

|Y_fs

C_iss

C_oss

C_rss

t_on

185

_DS=10V, V_GS= 0, f=1MHz

V_GS=10V, I_D=1A, V_DD=10V

Fall time

t_f

100

180

R_L=10Ω

Turn-off time (delay time)

t_d(off)

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