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2SK2353

更新时间： 2024-01-21 15:40:29

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描述
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE

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2SK2353 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SFM
包装说明：	MP-45F, ISOLATED TO-220, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.82	其他特性：	HIGH VOLTAGE, AVALANCHE RATING
雪崩能效等级（Eas）：	17.4 mJ	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	450 V
最大漏极电流 (ID)：	4.5 A	最大漏源导通电阻：	1.4 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	18 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON

2SK2353 数据手册

DATA SHEET

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

2SK2353/2SK2354

SWITCHING

N-CHANNEL POWER MOS FET

INDUSTRIAL USE

DESCRIPTION

The 2SK2353/2SK2354 is N-Channel MOS Field Effect Transis-

tor designed for high voltage switching applications.

PACKAGE DIMENSIONS

(in millimeters)

4.5 0.2

10.0 0.ꢀ.

FEATURES

• Low On-Resistance

ꢀ.2 0.2

2.7 0.2

2SK2353: R^DS(on)= 1.4 Ω (VGS = 10 V, ID = 2.5 A)

2SK2354: R^DS(on)= 1.5 Ω (VGS = 10 V, ID = 2.5 A)

• Low Ciss

Ciss = 670 pF TYP.

• High Avalanche Capability Ratings

• Isolate TO-220 Package

QUALITY GRADE

Standard

Pleasereferto"QualitygradeonNECSemiconductorDevices"(Document

number IEI-1209) published by NEC Corporation to know the

specification of quality grade on the devices and its recommended

0.7 0.1

2.54

1.ꢀ 0.2

1.5 0.2

2.54

2.5 0.1

0.65 0.1

applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 ˚C)

1. Gate

2. Drain

ꢀ. Source

Drain to Source Voltage (2SK2353/2354) VDSS

450/500

±30

2 ꢀ

Gate to Source Voltage

VGSS

I^D(DC)

I^D(pulse)

PT1

Drain Current (DC)

±4.5

±18

MP-45F (ISOLATED TO-220)

Drain Current (pulse)*

Drain

Total Power Dissipation (Tc = 25 ˚C)

Total Power Dissipation (T^a= 25 ˚C)

Channel Temperature

˚C

PT2

2.0

Tch

150

Body

Diode

Storage Temperature

Tstg –55 to +150 ˚C

Gate

Single Avalanche Current**

Single Avalanche Energy**

I^AS

4.5

EAS

17.4

PW ≤ 10 µs, Duty Cycle ≤ 1 %

Source

** Starting Tch = 25 ˚C, RG = 25 Ω, VGS = 20 V → 0

The information in this document is subject to change without notice.

Document No. TC-2499

(O. D. No. TC-8047)

Date Published November 1994

Printed in Japan

1994

12 3 4 5 6 7 8

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2SK2356-Z	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
2SK2357	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
2SK2357	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,450V V(BR)DSS,6A I(D),TO-220AB(FP)
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2SK2358	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,500V V(BR)DSS,6A I(D),TO-220AB(FP)
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