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2SK2347

更新时间： 2024-01-29 09:46:27
品牌 Logo 应用领域
三洋 - SANYO 晶体开关晶体管脉冲高压
页数 文件大小 规格书
4页 56K
描述
High-Voltage, High-Speed Switching Applications

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2SK2347 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-3JML
包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3针数：2
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.84
Is Samacsys：N配置：SINGLE
最小漏源击穿电压：1000 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：20 A
最大漏极电流 (ID)：20 A最大漏源导通电阻：0.8 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSIP-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：DEPLETION MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
极性/信道类型：N-CHANNEL功耗环境最大值：160 W
最大功率耗散 (Abs)：160 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：40 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

2SK2347 数据手册

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Ordering number : EN5424A  
N-Channel Silicon MOSFET  
2SK2347  
High-Voltage, High-Speed  
Switching Applications  
Features  
• Low ON resistance, ultrahigh-speed switching.  
Package Dimensions  
unit: mm  
• High reliability (Adoption of HVP process).  
2131-TO-3JML  
[2SK2347]  
e  
in  
urce  
3JML  
Specifications  
Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Ratings  
1000  
Unit  
V
Drain-to-Source Voltage  
Gate-to-Source Voltage  
Drain Current (DC)  
V
DSS  
GSS  
V
±30  
V
I
I
20  
A
D
Drain Current (pulse)  
Allowable Power Dissipation  
PW≤10µs, duty cycle≤1%  
40  
4.6  
A
DP  
P
D
W
W
°C  
°C  
Tc=25°C  
160  
Channel Temperature  
Storage temperature  
Tch  
150  
Tstg  
–55 to +150  
Electrical Characteristics at Ta=25°C  
Ratings  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Unit  
min  
typ  
max  
D-S Breakdown Voltage  
V
I =1mA, V =0  
GS  
1000  
V
mA  
nA  
V
(BR)DSS  
DSS  
D
Zero-Gate Voltage Drain Current I  
V
=1000V, V =0  
1.0  
±100  
3.5  
DS  
GS  
DS  
DS  
GS  
Gate-to Source Leak Current  
Cutoff Voltage  
I
V
V
V
=±30V, V =0  
DS  
GSS  
V
=10V, I =1mA  
1.5  
5.0  
GS(off)  
|y |  
D
Forward Transfer Admittance  
Static Drain-to-Source  
ON-State Resistance  
Input Capacitance  
=20V, I =10A  
10  
S
fs  
D
R
I =10A, V =10V  
0.6  
0.8  
Ω
DS(on)  
D
GS  
Ciss  
Coss  
Crss  
V
=20V, f=1MHz  
=20V, f=1MHz  
=20V, f=1MHz  
3300  
750  
pF  
pF  
pF  
DS  
DS  
DS  
Output Capacitance  
V
V
Reverse Transfer Capacitance  
500  
Continued on next page.  
SANYO Electric Co.,Ltd. Semiconductor Bussiness Headquarters  
TOKYO OFFICE Tokyo Bldg., 1-10, 1 Chome, Ueno, Taito-ku, TOKYO, 110 JAPAN  
72597TS (KOTO) TA-1033 No.5424-1/4  
1234

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2SK2347 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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 HIGH-SPEED SWITCHING USE

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