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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PQSO-G4 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8541.21.00.75 |
| 风险等级： | 5.81 | 其他特性： | LOW NOISE |
| 外壳连接： | SOURCE | 配置： | SINGLE |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.12 A | FET 技术： | JUNCTION |
| 最高频带： | X BAND | JESD-30 代码： | R-PQSO-G4 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 工作模式： | DEPLETION MODE |
| 最高工作温度： | 125 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最小功率增益 (Gp)： | 10 dB | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | GALLIUM ARSENIDE | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK2332 | TOSHIBA |
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N CHANNEL SINGLE GATE MODULATION DOPE TYPE (SHF BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS) |
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| 2SK2332TE12L | TOSHIBA |
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TRANSISTOR X BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, FET RF Small Signal |
|
| 2SK2332TE12R | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR X BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, FET RF Small Signal |
|
| 2SK2333 | SHINDENGEN |
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HVX-2 Series Power MOSFET(700V 6A) |
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| 2SK2334(L) | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-251 |
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| 2SK2334(S) | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-252AA |
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| 2SK2334(S)TL | RENESAS |
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Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| 2SK2334(S)TR | RENESAS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| 2SK2334L | ETC |
获取价格 |
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| 2SK2334LL | RENESAS |
获取价格 |
20A, 60V, 0.07ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, DPAK-3 |
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