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2SK2341-AZ

更新时间： 2024-01-13 04:20:29

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	97K
描述
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 250V, 0.26ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, MP-45F, ISOLATED TO-220, 3 PIN

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2SK2341-AZ 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.36
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	320 mJ
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	250 V	最大漏极电流 (ID)：	11 A
最大漏源导通电阻：	0.26 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	44 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SK2341-AZ 数据手册

DATA SHEET

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

2SK2341

SWITCHING

N-CHANNEL POWER MOS FET

INDUSTRIAL USE

DESCRIPTION

PACKAGE DIMENSIONS

The 2SK2341 is N-channel Power MOS Field Effect Transis-

tor designed for high voltage switching applications.

(in m illim eters)

10.0 ± 0.3

4.5 ± 0.2

φ3.2 ± 0.2

FEATURES

2.7 ± 0.2

Low On-state Resistance

•

R^DS(on)= 0.26 Ω MAX. (VGS = 10 V, ID = 6.0 A)

LOW Ciss

Ciss = 1090 pF TYP.

•

High Avalanche Capability Ratings

2 3

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C)

Drain to Source Voltage

Gate to Source Voltage

Drain Current (DC)

VDSS

V^GSS

ID (DC)

250

±30

±11

0.65 ± 0.1

0.7 ± 0.1

1.3 ± 0.2

2.5 ± 0.1

Drain Current (pulse)

I^{D (pulse)}* ±44

1.5 ± 0.2

2.54 TYP.

Total Power Dissipation (T^C= 25 °C) PT1

Total Power Dissipation (Ta = 25 °C) PT2

2.54 TYP.

2.0

Storage Tem perature

T^stg

–55 to +150 °C

1. Gate

2. Drain

3. Source

Channel Tem perature

T^ch

150

°C

Single Avalanche Current

Single Avalanche Energy

*PW ≤ 10 µs, Duty Cycle ≤ 1 %

IAS**

E^AS**

2 3

320

m J

MP-45F(SIOLATED TO-220)

Drain (D)

**Starting Tch = 25 °C, RG = 25 Ω, VGS = 20 V → 0

The diode connected between the gate and source of the

transistor serves as a protector against ESD. When this device

is actually used, an additional protection circuit is externally

required if a voltage exceeding the rated voltage m ay be

applied to this device.

Body diode

Gate (G)

Source (S)

Document No. TC-2511

(O.D. No. TC–8070)

Date Published January 1995 P

Printed in Japan

1995

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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2SK2346	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 20A I(D) \| TO-220FN
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