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2SK2340

更新时间： 2024-11-01 22:52:55
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC /
页数 文件大小 规格书
3页 45K
描述
Silicon N-Channel Power F-MOS FET

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2SK2340 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220E
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.84雪崩能效等级（Eas）：45 mJ
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：900 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：5 A
最大漏极电流 (ID)：5 A最大漏源导通电阻：2.8 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：50 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：10 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

2SK2340 数据手册

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Power F-MOS FETs  
2SK2340  
Silicon N-Channel Power F-MOS FET  
■ Features  
● Avalanche energy capacity guaranteed  
● High-speed switching  
● Low ON-resistance  
unit: mm  
4.6±0.2  
● No secondary breakdown  
9.9±0.3  
2.9±0.2  
φ3.2±0.1  
■ Applications  
● Contactless relay  
● Diving circuit for a solenoid  
● Driving circuit for a motor  
● Control equipment  
2.6±0.1  
1.2±0.15  
0.7±0.1  
1.45±0.15  
● Switching power supply  
0.75±0.1  
■ Absolute Maximum Ratings (TC = 25°C)  
2.54±0.2  
5.08±0.4  
Parameter  
Symbol  
Ratings  
Unit  
V
Drain to Source breakdown voltage VDSS  
900  
1
2 3  
7
Gate to Source voltage  
DC  
Pulse  
Avalanche energy capacity  
VGSS  
ID  
±30  
V
1: Gate  
2: Drain  
3: Source  
±5  
A
Drain current  
IDP  
±10  
A
TO-220E Package  
EAS*  
45  
mJ  
Allowable power  
dissipation  
TC = 25°C  
Ta = 25°C  
50  
PD  
W
2
Channel temperature  
Storage temperature  
Tch  
150  
°C  
°C  
Tstg  
−55 to +150  
*
L = 3.6mH, IL = 5A, 1 pulse  
■ Electrical Characteristics (TC = 25°C)  
Parameter  
Symbol  
IDSS  
Conditions  
min  
typ  
max  
Unit  
µA  
µA  
V
Drain to Source cut-off current  
Gate to Source leakage current  
VDS = 720V, VGS = 0  
100  
±1  
IGSS  
VGS = ±30V, VDS = 0  
Drain to Source breakdown voltage VDSS  
ID = 1mA, VGS = 0  
VDS = 25V, ID = 1mA  
VGS = 10V, ID = 3A  
VDS = 25V, ID = 3A  
IDR = 5A, VGS = 0  
900  
2
Gate threshold voltage  
Vth  
5
V
Drain to Source ON-resistance  
Forward transfer admittance  
Diode forward voltage  
RDS(on)  
| Yfs |  
VDSF  
2
2.8  
Ω
1.5  
3.5  
S
−1.6  
V
Input capacitance (Common Source) Ciss  
Output capacitance (Common Source) Coss  
Reverse transfer capacitance (Common Source) Crss  
1400  
140  
60  
pF  
pF  
pF  
ns  
VDS = 20V, VGS = 0, f = 1MHz  
Turn-on time (delay time)  
Rise time  
td(on)  
tr  
30  
VDD = 200V, ID = 3A  
60  
ns  
Fall time  
tf  
VGS = 10V, RL = 66.6Ω  
60  
ns  
Turn-off time (delay time)  
Thermal resistance between channel and case  
Thermal resistance between channel and atmosphere  
td(off)  
Rth(ch-c)  
Rth(ch-a)  
170  
ns  
2.5  
°C/W  
°C/W  
62.5  
1
123

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