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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.29 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 20 A | 最大漏源导通电阻： | 0.07 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 80 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK2334SS | RENESAS |
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Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| 2SK2339 | PANASONIC |
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Silicon N-Channel Power F-MOS |
|
| 2SK2340 | PANASONIC |
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Silicon N-Channel Power F-MOS FET |
|
| 2SK2341 | NEC |
获取价格 |
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE |
|
| 2SK2341-AZ | NEC |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 250V, 0.26ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| 2SK2342 | PANASONIC |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 2A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o |
|
| 2SK2345 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 6A I(D) | TO-220FN |
|
| 2SK2346 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-220FN |
|
| 2SK2347 | SANYO |
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High-Voltage, High-Speed Switching Applications |
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| 2SK2348 | SANYO |
获取价格 |
High-Voltage, High-Speed Switching Applications |
|
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