Datasheet > 2SK2329S

2SK2329S

更新时间： 2024-02-10 21:10:06

品牌	Logo	应用领域
科信 - KEXIN		/
页数	文件大小	规格书
1页	44K
描述
Silicon N-Channel MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SK2329S 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.83
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	10 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	20 W	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES

2SK2329S 数据手册

SMD Type

MOSFICET

Silicon N-Channel MOSFET

2SK2329S

TO-252

Features

Unit: mm

+0.15

-0.15

+0.1

2.30

-0.1

Low on-resistance

6.50

+0.2

5.30

-0.2

+0.8

0.50

-0.7

High speed switching

Low drive current

2.5 V gate drive device can be driven from 3 V source

Suitable for Switching regulator, DC-DC converter

0.127

max

+0.1

0.80

-0.1

+0.1

0.60

-0.1

2.3

4.60

1 Gate

+0.15

-0.15

2 Drain

3 Source

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Drain to source voltage

Symbol

V^DSS

V^GSS

I^D

Rating

Unit

Gate to source voltage

Drain current

I^dp*

P^D

Power dissipation

Channel temperature

Storage temperature

* PW 10 s,Duty Cycle 1%

T^ch

150

Tstg

-55 to +150

Electrical Characteristics Ta = 25

Parameter

Symbol

Testconditons

ID=10mA,VGS=0

Min

Typ

Max

Unit

Drain to source breakdown voltage

Gate to source voltage

V^DSS

V^GSS

IDSS

IG= 200 A,VGS=0

VDS=25V,VGS=0

Drain cut-off current

100

Gate leakage current

I^GSS

VGS= 6.5V,VDS=0

Gate to source cutoff voltage

Forward transfer admittance

V^GS(off)VDS=10V,ID=1mA

0.4

1.4

VDS=10V,ID=5A

V^GS=4V,ID=5A

VGS=2.5V,ID=5A

Yfs

0.03 0.04

0.04 0.06

1250

Drain to source on-state resistance

R^DS(on)

Input capacitance

Output capacitance

Reverse transfer capacitance

Turn-on delay time

Rise time

Ciss

C^oss

C^rss

t^on

t^r

V^DS=10V,VGS=0,f=1MHZ

540

120

145

ID=5A,VGS(on)=4V,RL=2

Turn-off delay time

Fall time

t^off

225

125

www.kexin.com.cn

中文翻译

下载PDF

与2SK2329S相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SK2330(L)	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 500V V(BR)DSS \| 15A I(D) \| TO-262VAR
2SK2330(S)	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 500V V(BR)DSS \| 15A I(D) \| TO-263VAR
2SK2330L	ETC	获取价格
2SK2330S	ETC	获取价格
2SK2331	TOSHIBA	获取价格	N CHANNEL SINGLE GATE MODULATION DOPE TYPE (SHF BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS)
2SK2331TE12R	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR X BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, FET RF Small Signal
2SK2332	TOSHIBA	获取价格	N CHANNEL SINGLE GATE MODULATION DOPE TYPE (SHF BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS)
2SK2332TE12L	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR X BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, FET RF Small Signal
2SK2332TE12R	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR X BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, FET RF Small Signal
2SK2333	SHINDENGEN	获取价格	HVX-2 Series Power MOSFET(700V 6A)