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2SK2325

更新时间： 2024-01-06 01:13:40

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2SK2325 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-220E
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
雪崩能效等级（Eas）：	22.5 mJ	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	600 V
最大漏极电流 (ID)：	3 A	最大漏源导通电阻：	2.5 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	6 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SK2325 数据手册

Power F-MOS FETs

2SK2325

Silicon N-Channel Power F-MOS FET

■ Features

● Avalanche energy capacity guaranteed

● High-speed switching

● Low ON-resistance

unit: mm

4.6±0.2

● No secondary breakdown

9.9±0.3

2.9±0.2

φ3.2±0.1

■ Applications

● Contactless relay

● Diving circuit for a solenoid

● Driving circuit for a motor

● Control equipment

2.6±0.1

1.2±0.15

0.7±0.1

1.45±0.15

● Switching power supply

0.75±0.1

■ Absolute Maximum Ratings (T_C= 25°C)

2.54±0.2

5.08±0.4

Parameter

Symbol

Ratings

Unit

Drain to Source breakdown voltage V_DSS

600

2 3

Gate to Source voltage

Pulse

Avalanche energy capacity

V_GSS

I_D

±30

1: Gate

2: Drain

3: Source

±3

Drain current

I_DP

±6

TO-220E Package

EAS^*

22.5

Allowable power

dissipation

T_C= 25°C

Ta = 25°C

P_D

Channel temperature

Storage temperature

T_ch

150

°C

T_stg

−55 to +150

L = 5mH, I_L= 3A, 1 pulse

■ Electrical Characteristics (T_C= 25°C)

Parameter

Symbol

I_DSS

Conditions

V_DS= 480V, V_GS= 0

V_GS= ±30V, V_DS= 0

I_D= 1mA, V_GS= 0

V_DS= 25V, I_D= 1mA

V_GS= 10V, I_D= 2A

V_DS= 25V, I_D= 2A

I_DR= 3A, V_GS= 0

min

typ

max

Unit

µA

Drain to Source cut-off current

Gate to Source leakage current

100

±1

I_GSS

Drain to Source breakdown voltage V_DSS

600

Gate threshold voltage

V_th

Drain to Source ON-resistance

Forward transfer admittance

Diode forward voltage

R_DS(on)

| Y_fs|

V_DSF

1.7

2.5

Ω

1.5

−1.5

Input capacitance (Common Source) C_iss

Output capacitance (Common Source) C_oss

Reverse transfer capacitance (Common Source) C_rss

750

V_DS= 20V, V_GS= 0, f = 1MHz

Turn-on time (delay time)

Rise time

t_d(on)

t_r

V_DD= 200V, I_D= 2A

Fall time

t_f

V_GS= 10V, R_L= 100Ω

Turn-off time (delay time)

Thermal resistance between channel and case

Thermal resistance between channel and atmosphere

t_d(off)

R_th(ch-c)

R_th(ch-a)

3.125

62.5

°C/W

12 3

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