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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | SC-46, 3 PIN | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.38 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 650 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 7 A | 最大漏源导通电阻： | 1.4 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 28 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK2329 | RENESAS |
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Silicon N Channel MOS FET |
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| 2SK2329 | HITACHI |
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Silicon N-Channel MOS FET |
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| 2SK2329(L) | HITACHI |
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Power Field-Effect Transistor, 0.06ohm, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, DPAK-3 |
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| 2SK2329(L)-(2) | RENESAS |
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TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,30V V(BR)DSS,10A I(D),TO-251VAR |
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| 2SK2329(L)|2SK2329(S) | ETC |
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| 2SK2329(S)-(1) | RENESAS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| 2SK2329(S)-(2) | RENESAS |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,30V V(BR)DSS,10A I(D),TO-252VAR |
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| 2SK2329(S)-(3) | RENESAS |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,30V V(BR)DSS,10A I(D),TO-252VAR |
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| 2SK2329(S)TL | RENESAS |
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10A, 30V, 0.06ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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| 2SK2329(S)TR | HITACHI |
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暂无描述 |
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