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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.47 |
| 最大漏源导通电阻： | 0.05 Ω | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK2322(S) | RENESAS |
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0.05ohm, POWER, FET |
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| 2SK2322(S)TL | RENESAS |
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Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 60V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| 2SK2322(S)TR | RENESAS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 60V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| 2SK2322LL | RENESAS |
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15A, 60V, 0.05ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LDPAK-3 |
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| 2SK2324 | PANASONIC |
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Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 600V, 6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o |
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| 2SK2325 | ETC |
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| 2SK2326 | ETC |
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| 2SK2327 | ETC |
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| 2SK2328 | HITACHI |
获取价格 |
Silicon N-Channel MOS FET |
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| 2SK2328 | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS FET |
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