5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.29 | 配置： | Single |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 15 A | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 50 W |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK2322(S)TL | RENESAS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 60V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| 2SK2322(S)TR | RENESAS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 60V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| 2SK2322LL | RENESAS |
获取价格 |
15A, 60V, 0.05ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LDPAK-3 |
|
| 2SK2324 | PANASONIC |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 600V, 6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o |
|
| 2SK2325 | ETC |
获取价格 |
|
|
| 2SK2326 | ETC |
获取价格 |
|
|
| 2SK2327 | ETC |
获取价格 |
|
|
| 2SK2328 | HITACHI |
获取价格 |
Silicon N-Channel MOS FET |
|
| 2SK2328 | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS FET |
|
| 2SK2328-E | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS FET |
|
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
