生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | TO-3P |
包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数: | 4 |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.19 |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 500 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 20 A |
最大漏极电流 (ID): | 20 A | 最大漏源导通电阻: | 0.27 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 |
JESD-609代码: | e0 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 120 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 80 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | NO | 端子面层: | TIN LEAD |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
2SK1170-E | RENESAS |
完全替代 |
Silicon N Channel MOS FET | |
2SK1518-E | RENESAS |
类似代替 |
Silicon N Channel MOS FET | |
2SK1170 | HITACHI |
功能相似 |
Silicon N-Channel MOS FET |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
2SK1170-E | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS FET | |
2SK1171 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-247 | |
2SK1171-01 | FUJI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, | |
2SK1172 | ETC |
获取价格 |
N-CHANNEL SILICON POWER MOS-FET | |
2SK1172-01 | FUJI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, | |
2SK1177 | SANKEN |
获取价格 |
MOSFET | |
2SK1178 | SANKEN |
获取价格 |
MOSFET | |
2SK1179 | SANKEN |
获取价格 |
MOSFET | |
2SK117BL | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 6MA I(DSS) | TO-92 | |
2SK117-BL | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-92, 2-5F1D, SC-43, 3 PIN, FET General Pur |