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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> 2SK1177
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2SK1177

更新时间： 2024-11-22 22:45:07
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三垦 - SANKEN 晶体晶体管功率场效应晶体管脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
1页 37K
描述
MOSFET

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2SK1177 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220F
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.83
Is Samacsys：N其他特性：UL APPROVED
雪崩能效等级（Eas）：200 mJ外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：500 V
最大漏极电流 (ID)：2.5 A最大漏源导通电阻：3 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：10 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

2SK1177 数据手册

  
2SK1177  
External dimensions  
1......FM20  
Absolute Maximum Ratings  
Electrical Characteristics  
(Ta = 25ºC)  
(Ta = 25ºC)  
Ratings  
typ  
Symbol  
Ratings  
Unit  
Symbol  
Unit  
Conditions  
min  
500  
max  
VDSS  
VGSS  
ID  
500  
±20  
V
V
V(BR) DSS  
IGSS  
V
nA  
µA  
V
ID = 250µA, VGS = 0V  
VGS = ±20V  
±500  
250  
4.0  
±2.5  
A
IDSS  
VDS = 500V, VGS = 0V  
VDS = 10V, ID = 250µA  
VDS = 10V, ID = 1.4A  
VGS = 10V, ID = 1.4A  
ID (pulse)  
PD  
±10 (Tch 150ºC)  
30 (Tc = 25ºC)  
200  
A
VTH  
2.0  
1.5  
W
mJ  
ºC  
ºC  
Re (yfs)  
RDS (on)  
Ciss  
2.3  
2.6  
350  
54  
S
EAS  
3.0  
Ω
*
Tch  
150  
pF  
pF  
ns  
ns  
V
DS = 25V, f = 1.0MHz,  
VGS = 0V  
Tstg  
–55 to +150  
Coss  
ton  
ID = 1.4A, VDD = 250V,  
VGS = 10V,  
See Figure 2 on Page 5.  
: VDD = 50V, L = 60mH, IL = 2.5A, unclamped,  
See Figure 1 on Page 5.  
50  
*
toff  
140  
VDS — ID Characteristics  
VGS — ID Characteristics  
ID — RDS (ON) Characteristics  
3.0  
3.0  
2.0  
1.0  
0
5
4
3
2
=
VDS 10V  
=
VGS 10V  
10V  
2.0  
5.5V  
1.0  
5V  
VGS 4.5V  
=
–
TC  
55ºC  
1
0
25ºC  
125ºC  
=
0
0
10  
20  
0
2
4
6
8
10  
0
1.0  
2.0  
3.0  
150  
150  
VDS (V)  
VGS (V)  
ID (A)  
I
D — Re(yfs) Characteristics  
VGS — VDS Characteristics  
TC — RDS (ON) Characteristics  
10  
5
10  
8
6
=
VDS 10V  
=
ID 1.5A  
=
5
4
3
2
VGS 10V  
=
ID 2.5A  
=
–
TC  
55ºC  
25ºC  
6
125ºC  
4
=
ID 1.5A  
1
2
0
1
0
0.5  
0.3  
0.05 0.1  
0.5  
1
5
2
5
10  
20  
–50  
0
50  
100  
ID (A)  
VGS (V)  
Tc (ºC)  
VDS — Capacitance Characteristics  
V
SD — IDR Characteristics  
Safe Operating Area  
Ta — PD Characteristics  
(Tc=25ºC)  
1000  
500  
3.0  
2.0  
20  
10  
5
=
VGS 0V  
ID (pulse) max  
30  
=
f
1MHz  
Ciss  
R
LIMITED  
ID max  
20  
10  
0
100  
50  
1
Coss  
=
VGS 0V  
0.5  
1.0  
0
5V,10V  
0.1  
10  
5
Crss  
40  
Without heatsink  
0.03  
0
10  
20  
30  
50  
0
0.5  
1.0  
1.5  
0
50  
100  
Ta (ºC)  
3
5
10  
50 100  
VDS (V)  
500 1000  
VDS (V)  
VSD (V)  
8
1

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与2SK1177相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SK1178 SANKEN

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 		MOSFET
2SK1179 SANKEN

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 		MOSFET
2SK117BL ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 6MA I(DSS) | TO-92
2SK117-BL TOSHIBA

获取价格

 		TRANSISTOR N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-92, 2-5F1D, SC-43, 3 PIN, FET General Pur
2SK117GR ETC

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2SK118 TOSHIBA

获取价格

 		N CHANNEL JUNCTION TYPE (GENERAL PURPOSE AND IMPEDANCE CONVERTER AND CONDENSER MICROPHONE
2SK118_07 TOSHIBA

获取价格

 		Silicon N Channel Junction Type General Purpose and Impedance Converter and Condenser Micr

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