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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> 2SK1177

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2SK1177

更新时间： 2024-02-21 13:13:48

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三垦 - SANKEN		晶体晶体管功率场效应晶体管脉冲局域网
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1页	37K
描述
MOSFET

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技术参数
数据手册

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2SK1177 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.83
Is Samacsys：	N	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	Base Number Matches：	1

2SK1177 数据手册

2SK1177

External dimensions

1......FM20

Absolute Maximum Ratings

Electrical Characteristics

(Ta = 25ºC)

(Ta = 25ºC)

Ratings

typ

Symbol

Ratings

Unit

Symbol

Unit

Conditions

min

500

max

V_DSS

V_GSS

I_D

500

±20

V

V

V_{(BR) DSS}

I_GSS

V

nA

µA

V

I_D= 250µA, V_GS= 0V

V_GS= ±20V

±500

250

4.0

±2.5

A

I_DSS

V_DS= 500V, V_GS= 0V

V_DS= 10V, I_D= 250µA

V_DS= 10V, I_D= 1.4A

V_GS= 10V, I_D= 1.4A

I_{D (pulse)}

P_D

±10 (Tch 150ºC)

30 (Tc = 25ºC)

200

A

V_TH

2.0

1.5

W

mJ

ºC

ºC

Re _(yfs)

R_{DS (on)}

Ciss

2.3

2.6

350

54

S

E_AS

3.0

Ω

*

Tch

150

pF

pF

ns

ns

V

_DS= 25V, f = 1.0MHz,

V_GS= 0V

Tstg

–55 to +150

Coss

t_on

I_D= 1.4A, V_DD= 250V,

V_GS= 10V,

See Figure 2 on Page 5.

: V_DD= 50V, L = 60mH, I_L= 2.5A, unclamped,

See Figure 1 on Page 5.

50

*

t_off

140

V_DS— I_DCharacteristics

V_GS— I_DCharacteristics

I_D— R_{DS (ON)}Characteristics

3.0

3.0

2.0

1.0

0

5

4

3

2

=

V_DS10V

=

V_GS10V

10V

2.0

5.5V

1.0

5V

V_GS4.5V

=

–

T_C

55ºC

1

0

25ºC

125ºC

=

0

0

10

20

0

2

4

6

8

10

0

1.0

2.0

3.0

150

150

V_DS(V)

V_GS(V)

I_D(A)

I

_D— Re(yfs) Characteristics

V_GS— V_DSCharacteristics

T_C— R_{DS (ON)}Characteristics

10

5

10

8

6

=

V_DS10V

=

I_D1.5A

=

5

4

3

2

V_GS10V

=

I_D2.5A

=

–

T_C

55ºC

25ºC

6

125ºC

4

=

I_D1.5A

1

2

0

1

0

0.5

0.3

0.05 0.1

0.5

1

5

2

5

10

20

–50

0

50

100

I_D(A)

V_GS(V)

Tc (ºC)

V_DS— Capacitance Characteristics

V

_SD— I_DRCharacteristics

Safe Operating Area

Ta — P_DCharacteristics

(Tc=25ºC)

1000

500

3.0

2.0

20

10

5

=

V_GS0V

I_D(pulse) max

30

=

f

1MHz

Ciss

R

LIMITED

I_Dmax

20

10

0

100

50

1

Coss

=

V_GS0V

0.5

1.0

0

5V,10V

0.1

10

5

Crss

40

Without heatsink

0.03

0

10

20

30

50

0

0.5

1.0

1.5

0

50

100

Ta (ºC)

3

5

10

50 100

V_DS(V)

500 1000

V_DS(V)

V_SD(V)

8

1

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SK1178	SANKEN	MOSFET	获取价格
2SK1179	SANKEN	MOSFET	获取价格
2SK117BL	ETC	TRANSISTOR \| JFET \| N-CHANNEL \| 6MA I(DSS) \| TO-92	获取价格
2SK117-BL	TOSHIBA	TRANSISTOR N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-92, 2-5F1D, SC-43, 3 PIN, FET General Pur	获取价格
2SK117GR	ETC	TRANSISTOR \| JFET \| N-CHANNEL \| 2.6MA I(DSS) \| TO-92	获取价格
2SK117-GR	TOSHIBA	TRANSISTOR N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-92, 2-5F1D, SC-43, 3 PIN, FET General Pur	获取价格

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