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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> 2SK1179
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2SK1179

更新时间： 2024-11-08 22:45:07
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三垦 - SANKEN 晶体晶体管功率场效应晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
1页 37K
描述
MOSFET

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2SK1179 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220AB
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.83Is Samacsys：N
其他特性：UL APPROVED雪崩能效等级（Eas）：400 mJ
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
最小漏源击穿电压：500 V最大漏极电流 (ID)：8.5 A
最大漏源导通电阻：0.85 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：34 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

2SK1179 数据手册

  
2SK1179  
External dimensions  
2 ...... FM100  
Absolute Maximum Ratings  
Electrical Characteristics  
(Ta = 25ºC)  
(Ta = 25ºC)  
Ratings  
typ  
Symbol  
Ratings  
Unit  
Symbol  
Unit  
Conditions  
min  
500  
max  
VDSS  
VGSS  
ID  
500  
±20  
V
V
V(BR) DSS  
IGSS  
V
nA  
µA  
V
ID = 250µA, VGS = 0V  
VGS = ±20V  
±500  
250  
4.0  
±8.5  
A
IDSS  
VDS = 500V, VGS = 0V  
VDS = 10V, ID = 250µA  
VDS = 10V, ID = 4.5A  
VGS = 10V, ID = 4.5A  
ID (pulse)  
PD  
±34 (Tch 150ºC)  
85 (Tc = 25ºC)  
400  
A
VTH  
2.0  
5.1  
W
mJ  
ºC  
ºC  
Re (yfs)  
RDS (on)  
Ciss  
7.7  
0.70  
1300  
180  
60  
S
EAS  
0.85  
Ω
*
Tch  
150  
pF  
pF  
ns  
ns  
VDS = 25V, f = 1.0MHz,  
VGS = 0V  
Tstg  
–55 to +150  
Coss  
ton  
ID = 4.5A, VDD = 250V,  
VGS = 10V,  
See Figure 2 on Page 5.  
: VDD = 50V, L = 10mH, IL = 8.5A, unclamped,  
See Figure 1 on Page 5.  
*
toff  
110  
VDS — ID Characteristics  
VGS — ID Characteristics  
ID — RDS (ON) Characteristics  
10  
10  
8
1.5  
=
VDS 10V  
=
VGS 10V  
10V  
8
5.5V  
1.0  
0.5  
0
6
6
4
4
5V  
=
–
TC  
55ºC  
2
2
25ºC  
125ºC  
=
VGS 4.5V  
0
0
0
5
10  
15  
20  
0
2
4
6
8
10  
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10  
VDS (V)  
VGS (V)  
ID (A)  
I
D — Re(yfs) Characteristics  
VGS — VDS Characteristics  
TC — RDS (ON) Characteristics  
20  
10  
10  
8
2.0  
1.5  
1.0  
=
VDS 10V  
=
ID 4.5A  
VGS 10V  
=
–
TC  
55ºC  
25ºC  
=
125ºC  
=
ID 8.5A  
5
6
4
=
ID 4.5A  
1
0.5  
0
2
0
0.5  
0.3  
0.05 0.1  
0.5  
1
5
10  
2
5
10  
20  
150  
–50  
0
50  
100  
ID (A)  
VGS (V)  
Tc (ºC)  
VDS — Capacitance Characteristics  
V
SD — IDR Characteristics  
Safe Operating Area  
Ta — PD Characteristics  
(Tc=25ºC)  
5000  
10  
50  
90  
=
VGS 0V  
ID (pulse) max  
ID max  
80  
70  
60  
50  
40  
30  
20  
10  
0
=
f
1MHz  
8
6
Ciss  
10  
5
1000  
500  
1
4
2
0
Coss  
Crss  
=
VGS 0V  
0.5  
100  
50  
5V,10V  
0.1  
Without heatsink  
20  
0.03  
0
10  
20  
30  
40  
50  
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4  
VSD (V)  
0
50  
100  
Ta (ºC)  
150  
3
5
10  
50 100  
VDS (V)  
500 1000  
VDS (V)  
10  
1

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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