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2SK1178

更新时间： 2024-11-25 22:45:07
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三垦 - SANKEN /
页数 文件大小 规格书
1页 37K
描述
MOSFET

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2SK1178 数据手册

  
2SK1178  
External dimensions  
1 ...... FM20  
Absolute Maximum Ratings  
Electrical Characteristics  
(Ta = 25ºC)  
(Ta = 25ºC)  
Ratings  
typ  
Symbol  
Ratings  
Unit  
Symbol  
Unit  
Conditions  
min  
500  
max  
VDSS  
VGSS  
ID  
500  
±20  
V
V
V(BR) DSS  
IGSS  
V
nA  
µA  
V
ID = 250µA, VGS = 0V  
VGS = ±20V  
±500  
250  
4.0  
±4.0  
A
IDSS  
VDS = 500V, VGS = 0V  
VDS = 10V, ID = 250µA  
VDS = 10V, ID = 2.0A  
VGS = 10V, ID = 2.0A  
ID (pulse)  
PD  
±16 (Tch 150ºC)  
35 (Tc = 25ºC)  
260  
A
VTH  
2.0  
2.4  
W
mJ  
ºC  
ºC  
Re (yfs)  
RDS (on)  
Ciss  
3.7  
1.3  
610  
91  
S
EAS  
1.5  
Ω
*
Tch  
150  
pF  
pF  
ns  
ns  
V
DS = 25V, f = 1.0MHz,  
VGS = 0V  
Tstg  
–55 to +150  
Coss  
ton  
ID = 2.0A, VDD = 250V,  
V
See Figure 2 on Page 5.  
: VDD = 50V, L = 28mH, IL = 4.0A, unclamped,  
See Figure 1 on Page 5.  
50  
*
GS = 10V,  
toff  
120  
VDS — ID Characteristics  
VGS — ID Characteristics  
ID — RDS (ON) Characteristics  
5
5
4
3
2
2.0  
1.5  
=
VDS 10V  
=
VGS 10V  
4
10V  
6V  
5.5V  
3
1.0  
0.5  
0
2
5V  
=
–
TC  
55ºC  
1
1
0
25ºC  
125ºC  
=
VGS 4.5V  
0
0
10  
20  
0
2
4
6
8
10  
0
1
2
3
4
VDS (V)  
VGS (V)  
ID (A)  
I
D — Re(yfs) Characteristics  
VGS — VDS Characteristics  
TC — RDS (ON) Characteristics  
10  
5
10  
8
5
=
VDS 10V  
=
ID 2A  
VGS 10V  
=
=
–
TC  
55ºC  
25ºC  
4
3
2
125ºC  
=
ID 4A  
6
4
1
=
ID 2A  
2
0
1
0
0.5  
0.3  
0.05 0.1  
0.5  
ID (A)  
1
5
2
5
10  
20  
150  
–50  
0
50  
100  
VGS (V)  
Tc (ºC)  
VDS — Capacitance Characteristics  
V
SD — IDR Characteristics  
Safe Operating Area  
ID (pulse) max  
Ta — PD Characteristics  
(Tc=25ºC)  
3000  
5
4
3
50  
40  
=
VGS 0V  
=
f
1MHz  
1000  
500  
10  
5
Ciss  
30  
20  
10  
0
ID max  
1
100  
50  
2
1
0
Coss  
=
VGS 0V  
0.5  
5V,10V  
Crss  
40  
0.1  
Without heatsink  
10  
0.05  
0
10  
20  
30  
50  
0
0.5  
1.0  
1.5  
0
50  
100  
Ta (ºC)  
150  
3
5
10  
50 100  
VDS (V)  
500 1000  
VDS (V)  
VSD (V)  
9
1

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2SK1178 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FDA28N50F ONSEMI

功能相似

 功率 MOSFET，N 沟道，UniFETTM，FRFET®，500 V，28 A，175
APT5020BVFRG MICROSEMI

功能相似

 Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 500V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IXFH30N50Q3 IXYS

功能相似

 HiperFETTM Power MOSFETs Q3-Class

与2SK1178相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SK1179 SANKEN

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 		MOSFET
2SK117BL ETC

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 		TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 6MA I(DSS) | TO-92
2SK117-BL TOSHIBA

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 		TRANSISTOR N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-92, 2-5F1D, SC-43, 3 PIN, FET General Pur
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 		N CHANNEL JUNCTION TYPE (GENERAL PURPOSE AND IMPEDANCE CONVERTER AND CONDENSER MICROPHONE
2SK118_07 TOSHIBA

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2SK1180 SANKEN

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 		MOSFET

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