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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-3P |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.36 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 450 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 20 A | 最大漏极电流 (ID)： | 20 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.25 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e2 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 120 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 80 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN COPPER |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| 2SK1517-E | RENESAS |
完全替代  |
Silicon N Channel MOS FET |
|
| 2SK1169 | RENESAS |
完全替代 |
Silicon N Channel MOS FET |
|
| 2SK1517 | RENESAS |
功能相似 |
Silicon N Channel MOS FET |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK117 | TOSHIBA |
获取价格 |
N CHANNEL JUNCTIONS TYPE (LOW NOISE AUDIO AMPLIFIER APPLICATIONS) |
|
| 2SK117_07 | TOSHIBA |
获取价格 |
Silicon N Channel Junction Type Low Noise Audio Amplifier Applications |
|
| 2SK1170 | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS FET |
|
| 2SK1170 | HITACHI |
获取价格 |
Silicon N-Channel MOS FET |
|
| 2SK1170-E | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS FET |
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| 2SK1171 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-247 |
|
| 2SK1171-01 | FUJI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
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| 2SK1172 | ETC |
获取价格 |
N-CHANNEL SILICON POWER MOS-FET |
|
| 2SK1172-01 | FUJI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
|
| 2SK1177 | SANKEN |
获取价格 |
MOSFET |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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