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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-3P |
| 包装说明： | TO-3P, 3 PIN | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.35 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 450 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 20 A | 最大漏源导通电阻： | 0.25 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 80 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| 2SK1517-E | RENESAS |
完全替代  |
Silicon N Channel MOS FET |
|
| 2SK1169-E | RENESAS |
完全替代 |
Silicon N Channel MOS FET |
|
| 2SK1517 | RENESAS |
功能相似 |
Silicon N Channel MOS FET |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK1169|2SK1170 | ETC |
获取价格 |
|
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| 2SK1169-E | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS FET |
|
| 2SK117 | TOSHIBA |
获取价格 |
N CHANNEL JUNCTIONS TYPE (LOW NOISE AUDIO AMPLIFIER APPLICATIONS) |
|
| 2SK117_07 | TOSHIBA |
获取价格 |
Silicon N Channel Junction Type Low Noise Audio Amplifier Applications |
|
| 2SK1170 | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS FET |
|
| 2SK1170 | HITACHI |
获取价格 |
Silicon N-Channel MOS FET |
|
| 2SK1170-E | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS FET |
|
| 2SK1171 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-247 |
|
| 2SK1171-01 | FUJI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
|
| 2SK1172 | ETC |
获取价格 |
N-CHANNEL SILICON POWER MOS-FET |
|
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