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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | TO-92 |
| 包装说明： | 2-5F1D, SC-43, 3 PIN | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.25 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | LOW NOISE |
| 配置： | SINGLE | FET 技术： | JUNCTION |
| JEDEC-95代码： | TO-92 | JESD-30 代码： | O-PBCY-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | DEPLETION MODE |
| 最高工作温度： | 125 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK117_07 | TOSHIBA |
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Silicon N Channel Junction Type Low Noise Audio Amplifier Applications |
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| 2SK1170 | RENESAS |
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Silicon N Channel MOS FET |
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| 2SK1170 | HITACHI |
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Silicon N-Channel MOS FET |
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| 2SK1170-E | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS FET |
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| 2SK1171 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-247 |
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| 2SK1171-01 | FUJI |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
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| 2SK1172 | ETC |
获取价格 |
N-CHANNEL SILICON POWER MOS-FET |
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| 2SK1172-01 | FUJI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
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| 2SK1177 | SANKEN |
获取价格 |
MOSFET |
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| 2SK1178 | SANKEN |
获取价格 |
MOSFET |
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