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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK1081-01 | FUJI |
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N-CHANNEL SILICON POWER MOS-FET |
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| 2SK1081-01 | NJSEMI |
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N-CHANNEL SILICON POWER MOS-FET |
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| 2SK108-11-C | MITSUBISHI |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.02A I(D), 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction |
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| 2SK108-11-D | MITSUBISHI |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.02A I(D), 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction |
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| 2SK108-11-E | MITSUBISHI |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.02A I(D), 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction |
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| 2SK1082 | FUJI |
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N-Channel Silicon Power MOS-FET |
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| 2SK1082-01 | FUJI |
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N-Channel Silicon Power MOS-FET |
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| 2SK1083 | FUJI |
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N-channel MOS-FET |
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| 2SK1083M | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-220AB |
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| 2SK1083MR | ETC |
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LOGIC LEVEL MOSFET |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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