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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.84 |
| 配置： | Single | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 20 A |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-609代码： | e0 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 35 W |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK1086M | ETC |
获取价格 |
MOSFETs |
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| 2SK1086MR | FUJI |
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Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| 2SK1086-MR | FUJI |
获取价格 |
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
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| 2SK1087 | FUJI |
获取价格 |
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
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| 2SK1087M | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-220AB |
|
| 2SK1087MR | FUJI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 100V, 0.24ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| 2SK1087-MR | FUJI |
获取价格 |
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
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| 2SK1088 | FUJI |
获取价格 |
N-channel MOS-FET |
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| 2SK1088M | ETC |
获取价格 |
MOSFETs |
|
| 2SK1088-M | FUJI |
获取价格 |
N-channel MOS-FET |
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