5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 暂无类别数据> 2SK1085-M
2SK1085-M PDF预览

2SK1085-M

更新时间： 2024-11-25 22:45:07
品牌 Logo 应用领域
富士电机 - FUJI 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
2页 180K
描述
N-channel MOS-FET

阅读下载

中文翻译

获取价格

2SK1085-M 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220F15
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.74外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：150 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：3 A最大漏极电流 (ID)：3 A
最大漏源导通电阻：1.17 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：20 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：12 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

2SK1085-M 数据手册

 浏览型号2SK1085-M的Datasheet PDF文件第2页 
N-channel MOS-FET  
2SK1085-M  
F-III Series  
150V 0,9W  
3A  
20W  
> Features  
> Outline Drawing  
- High Current  
- Low On-Resistance  
- No Secondary Breakdown  
- Low Driving Power  
- High Forward Transconductance  
> Applications  
- Motor Control  
- General Purpose Power Amplifier  
- DC-DC converters  
> Maximum Ratings and Characteristics  
> Equivalent Circuit  
- Absolute Maximum Ratings (TC=25°C), unless otherwise specified  
Item  
Symbol  
Rating  
150  
Unit  
V
Drain-Source-Voltage  
V
DS  
Continous Drain Current  
Pulsed Drain Current  
I
3
A
D
I
12  
A
D(puls)  
Continous Reverse Drain Current  
Gate-Source-Voltage  
I
3
±20  
A
DR  
V
V
GS  
Max. Power Dissipation  
Operating and Storage Temperature Range  
P
20  
W
°C  
°C  
D
T
150  
ch  
T
-55 ~ +150  
stg  
Electrical Characteristics (TC=25°C), unless otherwise specified  
-
Item  
Symbol  
Test conditions  
Min.  
150  
Typ.  
1,5  
Max.  
Unit  
V
Drain-Source Breakdown-Voltage  
Gate Threshhold Voltage  
Zero Gate Voltage Drain Current  
V
ID=1mA  
ID=1mA  
VDS=150V  
VGS=0V  
VGS=±20V  
ID=1,5A  
ID=1,5A  
ID=1,5A  
VGS=0V  
(BR)DSS  
V
VDS=VGS  
Tch=25°C  
Tch=125°C  
VDS=0V  
1,0  
2,5  
500  
1,0  
V
GS(th)  
I
10  
0,2  
10  
µA  
mA  
nA  
W
DSS  
Gate Source Leakage Current  
I
100  
1,17  
0,90  
GSS  
Drain Source On-State Resistance  
R
VGS=4V  
0,72  
0,60  
3
DS(on)  
VGS=10V  
VDS=25V  
W
Forward Transconductance  
Input Capacitance  
g
1,5  
S
fs  
C
VDS=25V  
350  
60  
530  
90  
pF  
pF  
pF  
ns  
ns  
ns  
ns  
V
iss  
Output Capacitance  
C
VGS=0V  
f=1MHz  
VCC=30V  
ID=3A  
oss  
Reverse Transfer Capacitance  
Turn-On-Time ton (ton=td(on)+tr)  
C
15  
23  
rss  
t
3
5
d(on)  
t
30  
45  
r
Turn-Off-Time toff (ton=td(off)+tf)  
t
VGS=10V  
RGS=25W  
60  
90  
d(off)  
t
20  
30  
f
Diode Forward On-Voltage  
Reverse Recovery Time  
V
IF=2xIDR VGS=0V Tch=25°C  
IF=IDR VGS=0V  
0,95  
70  
1,43  
SD  
t
ns  
rr  
-dIF/dt=100A/µs Tch=25°C  
-
Thermal Characteristics  
Item  
Symbol  
Test conditions  
channel to air  
Min.  
Typ.  
Max.  
62,5  
Unit  
Thermal Resistance  
R
°C/W  
th(ch-a)  
R
channel to case  
6,25 °C/W  
th(ch-c)  
FUJI ELECTRIC GmbH; Lyoner Straße 26; D-60528 Frankfurt; Tel: 069-66 90 29-0; Fax: 069-66 90 29-56  
 
12

中文翻译

下载PDF

与2SK1085-M相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SK1085MR FUJI

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 150V, 1.17ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
2SK1085-MR ETC

获取价格
2SK1086 FUJI

获取价格

 		N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET
2SK1086M ETC

获取价格

 		MOSFETs
2SK1086MR FUJI

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
2SK1086-MR FUJI

获取价格

 		N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET
2SK1087 FUJI

获取价格

 		N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET
2SK1087M ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-220AB
2SK1087MR FUJI

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 100V, 0.24ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
2SK1087-MR FUJI

获取价格

 		N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

与2SK1085-M相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证