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2SK1084

更新时间： 2024-02-09 23:28:12

品牌	Logo	应用领域
富士电机 - FUJI		/
页数	文件大小	规格书
1页	53K
描述
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,

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技术参数
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2SK1084 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	5 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-609代码：	e0
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	20 W	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：	1

2SK1084 数据手册

1

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与2SK1084相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SK1085	ETC	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 150V V(BR)DSS \| 3A I(D) \| TO-220AB	获取价格
2SK1085-M	FUJI	N-channel MOS-FET	获取价格
2SK1085MR	FUJI	Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 150V, 1.17ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta	获取价格
2SK1085-MR	ETC		获取价格
2SK1086	FUJI	N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET	获取价格
2SK1086M	ETC	MOSFETs	获取价格

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