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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SC-65 |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.75 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | AVALANCHE RATED |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 900 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 6 A | 最大漏源导通电阻： | 2.8 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 125 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 最大关闭时间（toff）： | 380 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 225 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK1083 | FUJI |
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N-channel MOS-FET |
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| 2SK1083M | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-220AB |
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| 2SK1083MR | ETC |
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LOGIC LEVEL MOSFET |
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| 2SK1083-MR | FUJI |
获取价格 |
N-channel MOS-FET |
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| 2SK1084 | FUJI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
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| 2SK1085 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-220AB |
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| 2SK1085-M | FUJI |
获取价格 |
N-channel MOS-FET |
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| 2SK1085MR | FUJI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 150V, 1.17ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| 2SK1085-MR | ETC |
获取价格 |
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| 2SK1086 | FUJI |
获取价格 |
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
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