生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | TO-220F15 |
包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.75 | Is Samacsys: | N |
其他特性: | LOGIC LEVEL COMPATIBLE | 外壳连接: | ISOLATED |
配置: | SINGLE | 最小漏源击穿电压: | 150 V |
最大漏极电流 (ID): | 3 A | 最大漏源导通电阻: | 1.17 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-220AB |
JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
功耗环境最大值: | 20 W | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | NO | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 晶体管元件材料: | SILICON |
最大关闭时间(toff): | 120 ns | 最大开启时间(吨): | 50 ns |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
2SK1085-MR | ETC |
获取价格 |
||
2SK1086 | FUJI | N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
获取价格 |
|
2SK1086M | ETC | MOSFETs |
获取价格 |
|
2SK1086MR | FUJI | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
获取价格 |
|
2SK1086-MR | FUJI | N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
获取价格 |
|
2SK1087 | FUJI | N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
获取价格 |