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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-220F15 |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.75 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 150 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 3 A | 最大漏源导通电阻： | 1.17 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 20 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 最大关闭时间（toff）： | 120 ns | 最大开启时间（吨）： | 50 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK1085-MR | ETC |
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| 2SK1086 | FUJI |
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N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
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| 2SK1086M | ETC |
获取价格 |
MOSFETs |
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| 2SK1086MR | FUJI |
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Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| 2SK1086-MR | FUJI |
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N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
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| 2SK1087 | FUJI |
获取价格 |
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
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| 2SK1087M | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-220AB |
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| 2SK1087MR | FUJI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 100V, 0.24ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| 2SK1087-MR | FUJI |
获取价格 |
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
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| 2SK1088 | FUJI |
获取价格 |
N-channel MOS-FET |
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