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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> 2SK1083-MR
2SK1083-MR PDF预览

2SK1083-MR

更新时间： 2024-11-27 22:06:51
品牌 Logo 应用领域
富士电机 - FUJI /
页数 文件大小 规格书
2页 188K
描述
N-channel MOS-FET

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2SK1083-MR 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220AB
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.74其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：8 A
最大漏极电流 (ID)：8 A最大漏源导通电阻：0.22 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：20 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：32 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

2SK1083-MR 数据手册

 浏览型号2SK1083-MR的Datasheet PDF文件第2页 
N-channel MOS-FET  
2SK1083-MR  
F-III Series  
60V 0,22W 8A  
20W  
> Features  
> Outline Drawing  
- High Current  
- Low On-Resistance  
- No Secondary Breakdown  
- Low Driving Power  
- High Forward Transconductance  
> Applications  
- Motor Control  
- General Purpose Power Amplifier  
- DC-DC converters  
> Maximum Ratings and Characteristics  
> Equivalent Circuit  
- Absolute Maximum Ratings (TC=25°C), unless otherwise specified  
Item  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
Drain-Source-Voltage  
V
60  
8
DS  
Continous Drain Current  
Pulsed Drain Current  
I
A
D
I
32  
8
A
D(puls)  
Continous Reverse Drain Current  
Gate-Source-Voltage  
I
A
DR  
V
±20  
20  
V
GS  
Max. Power Dissipation  
Operating and Storage Temperature Range  
P
W
°C  
°C  
D
T
150  
ch  
T
-55 ~ +150  
stg  
Electrical Characteristics (TC=25°C), unless otherwise specified  
-
Item  
Symbol  
Test conditions  
Min.  
60  
1,0  
Typ.  
1,5  
Max.  
Unit  
V
Drain-Source Breakdown-Voltage  
Gate Threshhold Voltage  
Zero Gate Voltage Drain Current  
V
ID=1mA  
ID=1mA  
VDS=60V  
VGS=0V  
(BR)DSS  
V
VDS=VGS  
Tch=25°C  
Tch=125°C  
VDS=0V  
2,5  
500  
1,0  
V
GS(th)  
I
10  
0,2  
10  
µA  
mA  
nA  
W
DSS  
V
GS=0V  
Gate Source Leakage Current  
I
VGS=±20V  
ID=4A  
100  
0,35  
0,22  
GSS  
Drain Source On-State Resistance  
R
VGS=4V  
0,22  
0,15  
6
DS(on)  
ID=4A  
VGS=10V  
VDS=25V  
W
Forward Transconductance  
Input Capacitance  
g
ID=4A  
3
S
fs  
C
VDS=25V  
300  
110  
40  
450  
170  
60  
pF  
pF  
pF  
ns  
ns  
ns  
ns  
V
iss  
Output Capacitance  
C
VGS=0V  
f=1MHz  
VCC=30V  
ID=8A  
oss  
Reverse Transfer Capacitance  
Turn-On-Time ton (ton=td(on)+tr)  
C
rss  
t
7
10  
d(on)  
t
30  
45  
r
Turn-Off-Time toff (ton=td(off)+tf)  
t
VGS=10V  
RGS=25W  
50  
75  
d(off)  
t
20  
30  
f
Diode Forward On-Voltage  
Reverse Recovery Time  
V
IF=2xIDR VGS=0V Tch=25°C  
IF=IDR VGS=0V  
1,2  
50  
1,8  
SD  
t
ns  
rr  
-dIF/dt=100A/µs Tch=25°C  
-
Thermal Characteristics  
Item  
Symbol  
Test conditions  
channel to air  
Min.  
Typ.  
Max.  
62,5  
Unit  
Thermal Resistance  
R
°C/W  
th(ch-a)  
R
channel to case  
6,25 °C/W  
th(ch-c)  
FUJI ELECTRIC GmbH; Lyoner Straße 26; D-60528 Frankfurt; Tel: 069-66 90 29-0; Fax: 069-66 90 29-56  
 
12

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