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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> 2SK1088
2SK1088 PDF预览

2SK1088

更新时间： 2024-11-25 22:45:07
品牌 Logo 应用领域
富士电机 - FUJI 晶体晶体管功率场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 185K
描述
N-channel MOS-FET

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2SK1088 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.84
Is Samacsys：N配置：Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：9 AFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码：e0工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：35 W子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：1

2SK1088 数据手册

 浏览型号2SK1088的Datasheet PDF文件第2页 
N-channel MOS-FET  
2SK1088-M  
F-III Series  
150V 0,3W  
9A  
35W  
> Features  
> Outline Drawing  
- High Current  
- Low On-Resistance  
- No Secondary Breakdown  
- Low Driving Power  
- High Forward Transconductance  
> Applications  
- Motor Control  
- General Purpose Power Amplifier  
- DC-DC converters  
> Maximum Ratings and Characteristics  
> Equivalent Circuit  
- Absolute Maximum Ratings (TC=25°C), unless otherwise specified  
Item  
Symbol  
Rating  
150  
Unit  
V
Drain-Source-Voltage  
V
DS  
Continous Drain Current  
Pulsed Drain Current  
I
9
A
D
I
36  
A
D(puls)  
Continous Reverse Drain Current  
Gate-Source-Voltage  
I
9
±20  
A
DR  
V
V
GS  
Max. Power Dissipation  
Operating and Storage Temperature Range  
P
35  
W
°C  
°C  
D
T
150  
ch  
T
-55 ~ +150  
stg  
Electrical Characteristics (TC=25°C), unless otherwise specified  
-
Item  
Symbol  
Test conditions  
Min.  
150  
1,0  
Typ.  
1,5  
Max.  
Unit  
V
Drain-Source Breakdown-Voltage  
Gate Threshhold Voltage  
Zero Gate Voltage Drain Current  
V
ID=1mA  
ID=1mA  
VDS=150V  
VGS=0V  
VGS=±20V  
ID=4,5A  
ID=4,5A  
ID=4,5A  
VGS=0V  
(BR)DSS  
V
VDS=VGS  
Tch=25°C  
Tch=125°C  
VDS=0V  
2,5  
500  
1,0  
V
GS(th)  
I
10  
0,2  
10  
µA  
mA  
nA  
W
DSS  
Gate Source Leakage Current  
I
100  
0,40  
0,30  
GSS  
Drain Source On-State Resistance  
R
VGS=4V  
0,26  
0,20  
10  
DS(on)  
VGS=10V  
VDS=25V  
W
Forward Transconductance  
Input Capacitance  
g
5
S
fs  
C
VDS=25V  
900  
150  
40  
1200  
230  
60  
pF  
pF  
pF  
ns  
ns  
ns  
ns  
V
iss  
Output Capacitance  
C
VGS=0V  
f=1MHz  
VCC=30V  
ID=9A  
oss  
Reverse Transfer Capacitance  
Turn-On-Time ton (ton=td(on)+tr)  
C
rss  
t
10  
15  
d(on)  
t
40  
60  
r
Turn-Off-Time toff (ton=td(off)+tf)  
t
VGS=10V  
RGS=25W  
150  
30  
230  
45  
d(off)  
t
f
Diode Forward On-Voltage  
Reverse Recovery Time  
V
IF=2xIDR VGS=0V Tch=25°C  
IF=IDR VGS=0V  
1,1  
100  
1,5  
SD  
t
ns  
rr  
-dIF/dt=100A/µs Tch=25°C  
-
Thermal Characteristics  
Item  
Symbol  
Test conditions  
channel to air  
Min.  
Typ.  
Max.  
62,5  
Unit  
Thermal Resistance  
R
°C/W  
th(ch-a)  
R
channel to case  
3,57 °C/W  
th(ch-c)  
FUJI ELECTRIC GmbH; Lyoner Straße 26; D-60528 Frankfurt; Tel: 069-66 90 29-0; Fax: 069-66 90 29-56  
 
12

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